非易失性內(nèi)存 文章 進入非易失性內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

歐洲重啟存儲芯片生產(chǎn)：德國鐵電FMC押注新非易失性內(nèi)存技術(shù)FeRAM

• 4 月 8 日消息，德國鐵電存儲器公司（FMC）宣布與半導體企業(yè) Neumonda 達成戰(zhàn)略合作，將在德國德累斯頓建立新型非易失性存儲芯片（FeRAM）生產(chǎn)線。這是繼 2009 年英飛凌、奇夢達德國DRAM 工廠破產(chǎn)關停后，歐洲首次嘗試重啟存儲芯片本土化生產(chǎn)?！?圖源：Neumonda雙方此次合作的核心是 FMC 研發(fā)的 "DRAM+" 技術(shù)。該技術(shù)采用 10nm 以下制程兼容的鉿氧化物（HfO?）作為鐵電層，替代傳統(tǒng)鋯鈦酸鉛 PZT 材料，存儲容量從傳統(tǒng) FeRAM 的 4-
• 關鍵字： 歐洲  存儲芯片  生產(chǎn)  德國  鐵電FMC  非易失性內(nèi)存  FeRAM