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長江存儲(chǔ)128層QLC閃存今年量產(chǎn) 2021逼迫閃存降價(jià)

從去年下半年到現(xiàn)在,內(nèi)存閃存的漲價(jià)讓存儲(chǔ)廠商重新過上了好日子,想降價(jià)只能靠中國廠商了。上周國內(nèi)的長江存儲(chǔ)宣布攻克128層堆棧的QLC閃存,性能、容量、密度三項(xiàng)世界第一,預(yù)計(jì)今年底量產(chǎn)。據(jù)介紹,長江存儲(chǔ)的128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(
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瑞薩電子推出全新32位RX72N和RX66N MCU，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接，適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社近日宣布推出RX產(chǎn)品家族新成員——32位RX72N產(chǎn)品組和RX66N產(chǎn)品組，其單個(gè)芯片集成了設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接。RX72N基于瑞薩專有的RXv3 CPU內(nèi)核，具備240MHz最大工作頻率及雙以太網(wǎng)通道；RX66N具備120MHz最大工作頻率及單個(gè)以太網(wǎng)通道。在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，性能與功能的不斷升級(jí)導(dǎo)致程序代碼愈加龐大。因此，存儲(chǔ)容量和讀取速度是決定實(shí)時(shí)性能的關(guān)鍵因素。全新RX72N和RX66N提供高達(dá)4MB片上閃存，可達(dá)到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率，同時(shí)具備1
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國產(chǎn)38nm SLC閃存已量產(chǎn) 兆易創(chuàng)新：推進(jìn)24nm閃存研發(fā)

在NAND閃存市場(chǎng),三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。前不久兆易創(chuàng)新發(fā)布了2019年報(bào),去年?duì)I收32億元,同比增長42%,凈利潤6.07億元,同比大漲50%。兆易創(chuàng)新的主要有三大業(yè)務(wù),最主要的是NOR閃存,全球市場(chǎng)份額在去年Q3季度上升到了第三,主要生產(chǎn)工藝為65nm節(jié)點(diǎn),另有部分55nm工藝產(chǎn)品。兆易創(chuàng)新的NOR閃存累計(jì)出貨量超過100億顆,目前依然供不應(yīng)求
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紫光存儲(chǔ)解散？國產(chǎn)閃存、內(nèi)存市場(chǎng)人事地震：長江存儲(chǔ)、紫光存儲(chǔ)發(fā)聲

今天國產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)生異動(dòng),傳聞紫光旗下的紫光存儲(chǔ)解散,相關(guān)人員要合并到長江存儲(chǔ)中。隨后這兩家公司分別發(fā)表聲明,辟謠相關(guān)報(bào)道。存儲(chǔ)芯片是近年來國產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展的重中之重,畢竟一年進(jìn)口的內(nèi)存及閃存芯片超過1000億美元,份量極大,而紫光主導(dǎo)的幾家存儲(chǔ)公司是重點(diǎn),尤其是長江存儲(chǔ),去年首發(fā)量產(chǎn)了國產(chǎn)3D閃存。最新的爆料稱,紫光存儲(chǔ)公司解散,未來重點(diǎn)轉(zhuǎn)向DRAM內(nèi)存,大部分員工正等著長江存儲(chǔ)挑選,沒有挑中的就要自謀生路。針對(duì)這一消息,紫光存儲(chǔ)方面已經(jīng)發(fā)表了聲明,否認(rèn)公司解散,但承認(rèn)公司業(yè)務(wù)有所調(diào)整。紫光存儲(chǔ)表示
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三星量產(chǎn)512GB UFS 3.1手機(jī)閃存

三星近日宣布開始量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，其連續(xù)寫入速度超過1.2GB/s，是其前代產(chǎn)品寫入速度的3倍。
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2000億大基金二期3月底開始投資國產(chǎn)3D閃存仍是重點(diǎn)

為了扶植半導(dǎo)體發(fā)展,多部門推動(dòng)成立了“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”,也就是大基金,一期已經(jīng)完成,二期大基金規(guī)模高達(dá)2041億元,今年3月份將開始實(shí)質(zhì)投資。此前,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(2014.09-2018.05)已經(jīng)投資完畢,共募得普通股987.2億元,同時(shí)發(fā)行優(yōu)先股400億元,總投資額為1387億元(相比于原先計(jì)劃的1200億元超募15.6%),公開投資公司為23家,累計(jì)有效投資項(xiàng)目達(dá)到70個(gè)左右。據(jù)報(bào)道,大基金一期投資范圍涵蓋集成電路產(chǎn)業(yè)上、中、下游各個(gè)環(huán)節(jié),其中67%的投資投向了半導(dǎo)體制造,包括
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美光3D XPoint存儲(chǔ)芯片量產(chǎn) 分析師：不影響Intel

3D閃存在2020年將全面升級(jí)到100+層堆棧,128層會(huì)是很多廠商的選擇,再加上QLC閃存的普及,閃存及SSD硬盤的容量會(huì)進(jìn)一步增加,同時(shí)降低成本。不過新一代閃存的問題在于性能及可靠性都在下降了,以至于很多玩家都在反感QLC閃存,就像當(dāng)年反感TLC閃存一樣。有沒有性能更強(qiáng)、可靠性更高的存儲(chǔ)芯片?這也是有的,美光、Intel在2015年聯(lián)合宣布的3D XPoint就是一種革命性的存儲(chǔ)芯片,基于PCM相變存儲(chǔ)技術(shù),原理跟NAND閃存就不同,所以當(dāng)時(shí)Intel、美光宣稱它具備1000倍于閃存的性能、1000倍
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要漲價(jià)嗎？內(nèi)存、閃存上游成交價(jià)持續(xù)上漲

半導(dǎo)體行業(yè)因?yàn)榉N種原因，非常容易收到外來因素的影響。近日根據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，在剛過去的1月份，內(nèi)存和閃存芯片在上游的交易價(jià)均有一定幅度的上漲。其中，8Gb(1GB)DDR4-2133 PC內(nèi)存內(nèi)存環(huán)比上漲1.07%，均價(jià)來到2.84美元，128Gb MLC閃存顆粒價(jià)格環(huán)比上漲3.17%，均價(jià)來到4.56美元。
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國內(nèi)內(nèi)存、閃存工廠生產(chǎn)正常Q1合約價(jià)小幅上漲

集邦科技旗下下半導(dǎo)體研究中心DRAMeXchange今天發(fā)表報(bào)告,稱國內(nèi)的內(nèi)存及閃存工廠并沒有受到疫情的影響,目前沒有部分或者全面停產(chǎn)的跡象,生產(chǎn)情況正常,而且Q1季度的合約價(jià)已經(jīng)談完了,預(yù)計(jì)會(huì)小幅上漲。國內(nèi)的存儲(chǔ)芯片工廠主要分為海外投資及自主國產(chǎn)兩部分,其中海外投資的主要是無錫的SK海力士內(nèi)存工廠、大連的Intel閃存工廠、西安的三星閃存工廠,這些地方都遠(yuǎn)離武漢,正常生產(chǎn)沒有受到影響。國產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片工廠中,合肥長鑫的內(nèi)存工廠、福建晉華的內(nèi)存工廠也同樣沒受到什么影響,只有紫光旗下的長江存儲(chǔ)是在武漢的,不過
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長江存儲(chǔ)：保障員工健康第一國產(chǎn)閃存生產(chǎn)有序進(jìn)行

武漢的疫情不僅影響了很多人的正常生活，也對(duì)武漢的一些企業(yè)帶來考驗(yàn)，國內(nèi)有60多家上市公司位于武漢，小米、京東方、天馬等公司都在武漢有生產(chǎn)基地。關(guān)心國產(chǎn)閃存的玩家也應(yīng)該知道長江存儲(chǔ)總部也在武漢，該公司日前回應(yīng)稱國產(chǎn)閃存生產(chǎn)有序進(jìn)行，公司會(huì)將員工健康作為第一事項(xiàng)考慮。長江存儲(chǔ)表示，始終堅(jiān)持“人員安全第一”原則，嚴(yán)格按照政府規(guī)定保障員工的安全，延緩?fù)獾貑T工的返崗時(shí)間，并在條件允許的情況下鼓勵(lì)遠(yuǎn)程辦公，對(duì)在崗員工做好防疫宣傳，發(fā)放口罩，體溫檢測(cè)，加強(qiáng)消毒，動(dòng)線隔離等工作。對(duì)于原材料供應(yīng)和物流方面，目前長江存儲(chǔ)公司
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內(nèi)存閃存漲價(jià)預(yù)警,微軟索尼新主機(jī)用上16GB內(nèi)存、TB級(jí)SSD

最近一段時(shí)間來，內(nèi)存、閃存漲價(jià)的消息搞的玩家心慌慌，2020年5G智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心、AI等市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)芯片的要求更高了。值得注意的是，今年微軟、索尼還會(huì)推出新一代主機(jī)PS5、Xbox Series X，它們也會(huì)用上16GB內(nèi)存及TB級(jí)SSD，也會(huì)爭搶內(nèi)存閃存份額。
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內(nèi)存閃存漲價(jià)預(yù)警微軟索尼新主機(jī)用上16GB內(nèi)存、TB級(jí)SSD

最近一段時(shí)間來，內(nèi)存、閃存漲價(jià)的消息搞的玩家心慌慌，2020年5G智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心、AI等市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)芯片的要求更高了。值得注意的是，今年微軟、索尼還會(huì)推出新一代主機(jī)PS5、Xbox Series X，它們也會(huì)用上16GB內(nèi)存及TB級(jí)SSD，也會(huì)爭搶內(nèi)存閃存份額。微軟的Xbox One X、索尼的PS4系列主機(jī)用的還是8GB內(nèi)存，硬盤倒是HDD機(jī)械盤，但是今年推出的PS5、Xbox Series X主機(jī)配置就會(huì)全面升級(jí)了，PS5的內(nèi)存是16GB，Xbox Series X有兩個(gè)版本，少則12GB，多則16
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SK海力士展示高端新SSD：128層4D閃存

去年8月份，閃存巨頭SK海力士重返消費(fèi)級(jí)SSD市場(chǎng)，首發(fā)產(chǎn)品Gold S31只是個(gè)試水之作，常規(guī)的2.5英寸SATA形態(tài)，最大容量1TB。CES 2020展會(huì)上，SK海力士展出了兩款新的高端SSD，分別是Gold P31、Platinum P31，最大特點(diǎn)采用了SK海力士自己家的4D TLC NAND閃存。其實(shí)這里所謂的4D閃存，本質(zhì)上還是3D堆疊閃存，依然基于3D CTF(電荷捕獲閃存)設(shè)計(jì)、PUC(Peri. Unde，只不過SK海力士在存儲(chǔ)單元陣列之下增加了一個(gè)電路層。SK海力士已在半年前開始量產(chǎn)這
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中微中標(biāo)9臺(tái)長江存儲(chǔ)蝕刻機(jī) 國產(chǎn)閃存用上國產(chǎn)半導(dǎo)體裝備

紫光旗下的長江存儲(chǔ)在2019年9月份正式量產(chǎn)了國內(nèi)首個(gè)64層堆棧的3D閃存，容量256Gb，TLC芯片，2020年長江存儲(chǔ)還會(huì)進(jìn)一步提升產(chǎn)能，年底將達(dá)到每月6萬片晶圓的水平，是初期產(chǎn)能的10倍。擴(kuò)大產(chǎn)能就意味著要購買更多的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，其中光刻機(jī)還只能依賴進(jìn)口，但是其他設(shè)備有望加大國產(chǎn)采購力度。1月2日，上海中微半導(dǎo)體宣布中標(biāo)了9臺(tái)蝕刻機(jī)，而2019全年他們中標(biāo)的也不過13臺(tái)。蝕刻機(jī)是芯片制造中的一種設(shè)備，與光刻機(jī)、MOCVD并稱為三大關(guān)鍵性半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，它主要用來在芯片上進(jìn)行微觀雕刻，每個(gè)線條和深孔
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2020年3D閃存全面升級(jí)到1XX層堆棧國產(chǎn)閃存全速追趕中

在CES展會(huì)上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。3D閃存到底能堆棧多少層？就好像摩天大樓也不能無限堆高一樣，3D閃存的層數(shù)也是有限制的，之前廠商的研究顯示最多能堆棧到500多層，不過這是極限值，實(shí)際上并沒有這么高。根據(jù)Techinsights最新的NAND閃存路線圖，相比此前幾年動(dòng)不動(dòng)就翻倍的堆棧層數(shù)，2022年大部分閃存廠商在
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]