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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 銦鎵砷雪崩光電二極管

理解并緩解InGaAs雪崩光電二極管（APDs）的溫度效應(yīng)

  • InGaAs（銦鎵砷）雪崩光電二極管（APD）是一種利用InGaAs半導(dǎo)體材料特性的光電探測(cè)器，主要用于檢測(cè)紅外光譜中的光信號(hào)。APD通過(guò)一種稱為雪崩倍增的內(nèi)部增益機(jī)制將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，從而放大微弱的光信號(hào)。這使得它們具有高靈敏度，適用于需要檢測(cè)低光強(qiáng)的場(chǎng)合。InGaAs APD由多層結(jié)構(gòu)組成（見(jiàn)圖1），通常包括一個(gè)InGaAs吸收層和一個(gè)由不同材料（如AlGaAsSb）制成的倍增層，該材料與InP襯底晶格匹配。吸收層是光子被吸收并產(chǎn)生電子-空穴對(duì)的地方。InGaAs APD的工藝結(jié)構(gòu)圖1. InGa
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銦鎵砷雪崩光電二極管介紹

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