金屬化合物 文章 進(jìn)入金屬化合物技術(shù)社區(qū)
探索埃米世代導(dǎo)線材料 金屬化合物會(huì)擊敗銅嗎?
- 自1990年代中期,銅(Cu)一直用于后段制程,作為內(nèi)連導(dǎo)線(interconnect)與通孔(via)的主流金屬材料。這些年來,銅材在雙鑲嵌整合制程上展現(xiàn)了長年不敗的優(yōu)良導(dǎo)電性與可靠度,因此過去認(rèn)為在芯片導(dǎo)線應(yīng)用上無需替換這位常勝軍。但隨著技術(shù)世代演進(jìn),局部導(dǎo)線層持續(xù)微縮,關(guān)鍵組件層的線寬降至10nm以下。偏偏在這樣的小尺寸下,銅材的電阻會(huì)急遽增加,進(jìn)而影響電路的整體性能。銅世代告終?此外,銅材需要阻障層(barrier)、襯墊層(liner)與覆蓋層(cap layer)才能維持良好的可靠度;這些外加
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金屬化合物介紹
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