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超級結(jié)mosfet 文章 進入超級結(jié)mosfet技術社區(qū)

Ameya360：平面MOSFET與超級結(jié)MOSFET區(qū)別

  • 今天,Ameya360給大家介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因為接下來的幾篇將談超級結(jié)MOSFET相關的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上，根據(jù)其特征和特性對使用區(qū)分有個初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍。可以看出，Si-MOSFET在這個比較中，導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件
  • 關鍵字： MOSFET  超級結(jié)MOSFET  

同類最佳的超級結(jié)MOSFET和 具成本優(yōu)勢的IGBT用于電動汽車充電樁

  • 插電式混合動力/電動汽車(xEV)包含一個高壓電池子系統(tǒng)，可采用內(nèi)置的車載充電器(OBC)或外部的充電樁進行充電。充電(應用)要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能，開發(fā)高能效、高性能、具豐富保護功能的充電樁對于實現(xiàn)以盡可能短的充電時間續(xù)航更遠的里程至關重要。常用的半導體器件有IGBT、超結(jié)MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半導體為電動汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統(tǒng)方案，包括通過AEC車規(guī)認證的超級結(jié)MOSFET、IGBT、門極驅(qū)動器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等，
  • 關鍵字： 超級結(jié)MOSFET  IGBT  充電樁  
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超級結(jié)mosfet介紹

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