記憶電阻器文章進(jìn)入記憶電阻器技術(shù)社區(qū)

惠普開(kāi)發(fā)記憶電阻器項(xiàng)目取得進(jìn)展

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，惠普科學(xué)家在開(kāi)發(fā)名為“memristors”(記憶電阻器)的下一代內(nèi)存技術(shù)方面取得了小的突破。一些人認(rèn)為，這種技術(shù)有可能取代目前廣泛應(yīng)用的閃存和DRAM內(nèi)存技術(shù)。惠普科學(xué)家本周一在《納米技術(shù)》雜志上發(fā)表的論文中稱，他們已經(jīng)描繪出記憶電阻器在電子運(yùn)行期間內(nèi)部發(fā)生的情況的基本化學(xué)性質(zhì)和結(jié)構(gòu)?！　?/li>
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2008年國(guó)際十大科技新聞記憶電阻器上榜

　　由科技日?qǐng)?bào)社組織，部分院士、多家中央新聞單位及本報(bào)讀者參與評(píng)選的“2008年國(guó)際十大科技新聞”今天揭曉。　　2008年國(guó)際十大科技新聞是（按事件公布時(shí)間排序）：　　一、器官移植研究取得重要成果　　美國(guó)明尼蘇達(dá)大學(xué)心血管修復(fù)中心科學(xué)家1月13日在《自然—醫(yī)學(xué)》雜志在線版發(fā)表論文稱，他們通過(guò)給“脫細(xì)胞化”處理后的動(dòng)物尸體心臟注入活細(xì)胞，成功地使這些心臟恢復(fù)了跳動(dòng)。這是器官移植研究領(lǐng)域的重大突破，也是人類首次在生物體外用組織培養(yǎng)出完整器
關(guān)鍵字：器官移植記憶電阻器基因組機(jī)器人夸克強(qiáng)子太空漫步

記憶電阻器成為電路世界中第四種基本元件

　　美國(guó)惠普公司實(shí)驗(yàn)室研究人員在5月1日出版的英國(guó)《自然》雜志上發(fā)表論文宣稱，他們已經(jīng)證實(shí)了電路世界中的第四種基本元件———記憶電阻器，簡(jiǎn)稱憶阻器（Memristor）的存在，并成功設(shè)計(jì)出一個(gè)能工作的憶阻器實(shí)物模型。這項(xiàng)發(fā)現(xiàn)將有可能用來(lái)制造非易失性存儲(chǔ)設(shè)備、即開(kāi)型PC、更高能效的計(jì)算機(jī)和類似人類大腦方式處理與聯(lián)系信息的模擬式計(jì)算機(jī)等鋪平了道路，未來(lái)甚至可能會(huì)通過(guò)大大提高晶體管所能達(dá)到的功能密度，對(duì)電子科學(xué)的發(fā)展歷程產(chǎn)生重大影響。　　華裔科學(xué)家37年前理論預(yù)測(cè)成
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記憶電阻器介紹

memristors，惠普科學(xué)家開(kāi)發(fā)的下一代內(nèi)存技術(shù)，這種技術(shù)有可能取代目前廣泛應(yīng)用的閃存和DRAM內(nèi)存技術(shù)。記憶電阻器是加州大學(xué)伯克利分校的一位教授在1971年首次闡明的。在此之前，科學(xué)家僅知道三個(gè)基本電路元件：電阻器、電容器和電感器。蔡少棠(Leon Chua)教授把記憶電阻器稱作第四個(gè)元件。幾十年后，惠普科學(xué)家證明記憶電阻器是存在的，并且證明他們能夠讓記憶電阻器在兩個(gè)或者更多的電阻級(jí) [ 查看詳細(xì) ]

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