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英飛凌和南亞科技擴大合作范圍

  • 2005年9月29日，北京訊——總部設(shè)在慕尼黑的英飛凌科技公司（FSE/NYSE：IFX）與總部設(shè)在臺灣桃園的南亞科技（NTC）今日宣布，雙方已簽署關(guān)于擴大DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）開發(fā)合作范圍的協(xié)議。協(xié)議規(guī)定自2005年9月起，雙方合作開發(fā)用于300毫米晶圓制造的60納米先進生產(chǎn)工藝。該項合作是對現(xiàn)有90納米和70納米生產(chǎn)工藝合作開發(fā)的進一步拓展，同時也將提高雙方在DRAM市場的地位。合作開發(fā)的成本由雙方共同承擔。 雙方可在其各自工廠以及合資生產(chǎn)企業(yè)—華亞科技股份有限公司（Inotera 
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CoolMOS CS服務(wù)器高壓功率晶體管應(yīng)用高端電源

  • CoolMOS CS服務(wù)器高壓功率晶體管應(yīng)用高端電源　CoolMOS CS服務(wù)器系列高性能功率晶體管是英飛凌科技公司（Infineon）專門為計算機服務(wù)器，以及通信設(shè)備、平板顯示器等其他高功率密度應(yīng)用而設(shè)計的。　　這種全新的CoolMOS CS服務(wù)器系列MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）成功跨越了所謂的“硅限制”，當采用標準TO 220封裝時，導(dǎo)通電阻為99 mΩ（毫歐），采用標準TO 247封裝時，導(dǎo)通電阻為45 mΩ，均為業(yè)界最低值；英飛凌電源管理部和驅(qū)動技術(shù)市場經(jīng)理Fanny Dahlqu
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英飛凌科技公司介紹

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