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智能手機(jī)和平板電腦需求急增 爾必達(dá)上年度營(yíng)益增加30%

  •   日經(jīng)新聞日前報(bào)導(dǎo),日本DRAM龍頭廠爾必達(dá)(Elpida)上年度(2010年度;2010年4月-2011年3月)財(cái)報(bào)顯示本業(yè)獲利狀況的合并營(yíng)益可望較前一年度(2009年度)勁揚(yáng)30%至350億日?qǐng)A,主因?yàn)橹悄苄褪謾C(jī)、平板產(chǎn)品需求急增帶動(dòng)Mobile DRAM出貨呈現(xiàn)增長(zhǎng),加上制程細(xì)微化令成本有效獲得刪減。報(bào)導(dǎo)指出,爾必達(dá)上年度合并營(yíng)收預(yù)估將年增9%至5,100億日?qǐng)A,顯示最終獲利狀況的合并純益也可望維持于2009年度的30億日?qǐng)A水平。   報(bào)導(dǎo)指出,2011年1-3月期間因PC用DRAM價(jià)格低迷導(dǎo)致
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爾必達(dá)2010年度營(yíng)業(yè)利益可望成長(zhǎng)30%

  •   受惠于平板計(jì)算機(jī)等產(chǎn)品用Mobile DRAM出貨暢旺,且制程推進(jìn)有助于撙節(jié)成本,爾必達(dá)(Elpida)2010會(huì)計(jì)年度(2010年4月~2011年3月)營(yíng)業(yè)利益可望成長(zhǎng)30%,達(dá)350億日?qǐng)A(約4.2億美元);而該季營(yíng)收約可達(dá)5,100億日?qǐng)A,年增率為9%。   
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DRAM合約價(jià)成功調(diào)漲

  •   在硅晶圓缺貨陰霾未能完全消退下,個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)大廠補(bǔ)貨需求提前啟動(dòng),4月DRAM合約價(jià)漲聲響起,讓DRAM業(yè)者吃下定心丸,估計(jì)4月上旬平均漲幅約6%,而南亞科依據(jù)不同客戶區(qū)分,單月漲幅落在5~10%區(qū)間,目前2GB容量DDR3模塊價(jià)格調(diào)漲至18美元,換算2Gb芯片報(bào)價(jià)回升至2美元,預(yù)計(jì)2GB模塊報(bào)價(jià)回升至20美元指日可待,如果硅晶圓吃緊問題持續(xù),預(yù)計(jì)5、6月可順利回升至此價(jià)位?! ?/li>
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海力士:DRAM市況可望進(jìn)入恢復(fù)期

  •   海力士(Hynix)30日召開定期股東大會(huì),社長(zhǎng)權(quán)五哲表示,DRAM價(jià)格已觸底,市況可望進(jìn)入恢復(fù)期,而權(quán)五哲對(duì)NANDFlash市況,也抱持肯定的態(tài)度,他表示,受日本地震影響,NANDFlash價(jià)格攀升,下半年記憶體晶片市場(chǎng)將可望出現(xiàn)反彈。  
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iSuppli上調(diào)今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收

  •   市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對(duì)今年全球半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測(cè),較原本預(yù)期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺,刺激存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。   
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iSuppli上調(diào)今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收

  •   市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對(duì)今年全球半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測(cè),較原本預(yù)期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺,刺激存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。   
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日本地震或使全球芯片銷售收入提高7%

  •   研究機(jī)構(gòu)IHSiSuppli表示,由于日本地震導(dǎo)致該國(guó)存儲(chǔ)芯片供應(yīng)減少之后推動(dòng)價(jià)格走高,預(yù)計(jì)2011年全球半導(dǎo)體銷售收入將增長(zhǎng)7%至3,250億美元。   
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分析稱日本地震可能提升全球半導(dǎo)體市場(chǎng)收入

  •   4月6日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,有分析機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),日本地震可能提升全球半導(dǎo)體市場(chǎng)收入。   受到3月11日日本地震和海嘯的影響,芯片產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈遭到一定破壞,這導(dǎo)致了芯片價(jià)格的上漲,根據(jù)分析機(jī)構(gòu)IHSiSuppli的預(yù)測(cè),并將可能影響全球半導(dǎo)體市場(chǎng)收入,可能使之環(huán)比去年上漲7%,而之前預(yù)測(cè)的數(shù)值是5.8%?!?/li>
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LPDDR2內(nèi)存統(tǒng)治移動(dòng)內(nèi)存芯片

  •   據(jù)市場(chǎng)研究公司IHS iSuppli稱,由于智能手機(jī)和平板電腦目前配置的內(nèi)存芯片很快將證明不能充分地處理應(yīng)用程序,新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片占整個(gè)移動(dòng)內(nèi)存芯片市場(chǎng)的份額將增加。iSuppli稱,LPDDR2(低功率雙數(shù)據(jù)速率2)內(nèi)存現(xiàn)在正在成為移動(dòng)DRAM內(nèi)存領(lǐng)域中占統(tǒng)治地位的技術(shù)。到第二季度末,LPDDR2移動(dòng)內(nèi)存占移動(dòng)內(nèi)存的市場(chǎng)份額將從第一季度的31%提高到40%?!?/li>
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OEM廠備貨 將拉高DRAM上旬合約價(jià)

  •   雖然日本強(qiáng)震導(dǎo)致半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈供貨不順,但是因各家計(jì)算機(jī)大廠手中仍有1-2個(gè)月庫(kù)存,所以4月及5月份計(jì)算機(jī)出貨仍沒有太大問題,由于英特爾修正版6系列芯片組已恢復(fù)正常供貨量,OEM廠已開始放大英特爾Sandy Bridge平臺(tái)出貨。   
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海力士看好存儲(chǔ)器價(jià)格反彈

  •   韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)對(duì)DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市,發(fā)表脫離谷底的看法,對(duì)于臺(tái)系DRAM廠而言,可望注入強(qiáng)心針。在硅晶圓部分,海力士與臺(tái)廠目前都有1~2個(gè)月不等庫(kù)存,短期仍可支應(yīng)生產(chǎn),但中長(zhǎng)線來看,日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清,目前市場(chǎng)買盤多是邊走邊看,沒有一窩蜂搶貨,但也會(huì)擔(dān)心日后供給吃緊造成漲價(jià)問題。   
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海力士:DRAM市況可望進(jìn)入恢復(fù)期

  •   海力士(Hynix)30日召開定期股東大會(huì),社長(zhǎng)權(quán)五哲表示,DRAM價(jià)格已觸底,市況可望進(jìn)入恢復(fù)期,而權(quán)五哲對(duì)NANDFlash市況,也抱持肯定的態(tài)度,他表示,受日本地震影響,NANDFlash價(jià)格攀升,下半年記憶體晶片市場(chǎng)將可望出現(xiàn)反彈。   
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平板電腦內(nèi)存容量將大幅增加

  •   根據(jù)IHS的研究報(bào)告,平板電腦DRAM上的平均容量將大幅增加147%,達(dá)到676MB。   IHS公司分析師邁克霍華德表示,由于平板電腦的應(yīng)用程序越來越復(fù)雜,今年其內(nèi)存的平均增長(zhǎng)量將會(huì)是去年的2.5倍。這股趨勢(shì)會(huì)繼續(xù)下去,明年的平均容量預(yù)計(jì)將達(dá)到1.3GB ,而到2015年預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)到3.7GB,與筆記本電腦所使用的DRAM的容量相當(dāng)。   
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分析顯示DRAM產(chǎn)業(yè)春燕將至

  •   美光執(zhí)行長(zhǎng)Steve Appleton表示,看好3~5月的DRAM報(bào)價(jià)逐漸觸底反彈;再者,日前三星電子(Samsung Electronics)也開始調(diào)漲DRAM合約價(jià),南亞科也認(rèn)為4月合約價(jià)將會(huì)續(xù)漲,市場(chǎng)彌漫春燕將至的氣氛。  
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三星開始量產(chǎn)新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片

  •   全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱,它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片在更薄的封裝中增加內(nèi)存的密度。   
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