首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 美光1γ dram

南亞科：明年DRAM市場穩(wěn)健，Q1供貨仍吃緊

  • 　　今年DRAM市場強勁成長，南亞科技(2408)預期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續(xù)吃緊，DRAM平均銷售單價走勢穩(wěn)健;展望2018，預期明年整體DRAM市場供需均衡且健康，市場將持續(xù)維持穩(wěn)健。 　　隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、高速運算等應用，促進半導體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展，DRAM成為電子產(chǎn)品的關鍵組件，帶動今年內(nèi)存市場強勁成長逾50%。 　　展望2018年，南亞科預期DRAM資本支出主要用于先進制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能，DRAM位年成長率在20%~25%，預估2018年需求將較2017
  • 關鍵字： 南亞科  DRAM  

研調(diào)：預計2017年DRAM市場銷售額增長74％至720億美元

  • 　　縱觀2017年，隨著數(shù)據(jù)中心、服務器、智能手機和其他移動產(chǎn)品對DRAM需求不斷提升，DRAM產(chǎn)能供不應求，平均售價也在持續(xù)上漲。如圖1所示，IC Insights預計2017年第四季度DRAM銷售額將增至211億美元的歷史最好成績，與2016年第四季度的128億美元相比增長65%。 　　圖1 2015Q1-2017Q4的DRAM季度營收 　　IC Insights預計2017年全年DRAM的銷售額將達720億美元，年增長率達74%。這是自1993年(1994年的年增長率為78%)以來的歷史最好
  • 關鍵字： DRAM  

2021年全球IC市場規(guī)模4345億美元 汽車與物聯(lián)網(wǎng)IC應用成長最快

  • 　　調(diào)研機構(gòu)IC Insights最新報告預估，全球整體IC市場規(guī)模將由2016年的2,977億美元，成長為2021年的4,345億美元。合計2016~2021年規(guī)模年復合成長率(CAGR)為7.9%。 　　在12類IC終端應用主要產(chǎn)品中，僅游戲機與平板電腦產(chǎn)品用IC市場規(guī)模會出現(xiàn)下滑，其余如汽車、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)連結(jié)、手機等IC應用市場規(guī)模都會呈現(xiàn)成長。其中以車用與物聯(lián)網(wǎng)連結(jié)用IC市場規(guī)模成長最快，成長幅度較整體IC高出70%。 　　預估2017年全球車用IC市場規(guī)模，將繼2016年成長11%(達2
  • 關鍵字： 物聯(lián)網(wǎng)  DRAM  

DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

  • 　　DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。 　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調(diào)降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 　　手機中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
  • 關鍵字： DRAM  

馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM

  • 　　日前，一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會主題，論道存儲未來，讓數(shù)據(jù)釋放價值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國計算機協(xié)會信息存儲專委會主任馮丹作為開場嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示，當前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動態(tài)隨機存儲器)
  • 關鍵字： RRAM  DRAM  

DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

  • 　　DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。 　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調(diào)降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 　　手機中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

三星260億美元的豪賭：想壟斷DRAM和NAND閃存市場

  • 三星在DRAM和閃存市場占有半壁江山。它計劃明年將其在生產(chǎn)方面的資本支出預算提到1.5倍，提高至260億美元。
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

喜大普奔！內(nèi)存價格崩盤：一個月暴降30%

  • 最近一個多月的時間內(nèi)，尤其是雙11之后，內(nèi)存價格開始普遍下滑，而且幅度相當夸張，最高甚至接近30%。
  • 關鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺？

  • 　　明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進，預測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年NAND供應將持續(xù)吃緊。 　　韓媒BusinessKorea 5日報導(見此)，IHS Markit報告預估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預料供給將增39%至879億GB。 與此同時，明年全球NAND需求提高36.7
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺？

  • 　　明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進，預測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年NAND供應將持續(xù)吃緊。 　　韓媒BusinessKorea 5日報導(見此)，IHS Markit報告預估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預料供給將增39%至879億GB。 與此同時，明年全球NAND需求提高36.7
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

Yole：供需失衡推動存儲芯片價格上漲，市場年均增長9%

  • 　　存儲器行業(yè)正處于強勁增長的階段。Yole在其《2017年存儲器封裝市場與技術(shù)》報告中預計，2016~2022年整個存儲器市場的復合年增長率約為9%，到2022將達到1350億美元，DRAM和NAND市場份額合計約占95%。此外，供需失衡正推動存儲器半導體芯片價格上漲，導致存儲器IDM廠商獲得創(chuàng)紀錄的利潤! 　　存儲器的需求來自各行各業(yè)，特別是移動和計算(主要是服務器)市場。平均而言，每部智能手機的DRAM內(nèi)存容量將增長三倍以上，預計到2022年將到6GB左右，而每部智能手機的NAND存儲器容量將增加
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  

紫光國芯:DRAM未來會考慮與長江存儲合作

  • 　　紫光國芯日前在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。前不久，針對“存儲芯片行業(yè)增長很快，為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問，紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機構(gòu)進行互動問答時表示，西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設計業(yè)務，公司自身沒有制造環(huán)節(jié)，但市場上DRAM的代工廠很少，特別是在市場需求旺盛的時期，公司由于規(guī)模較小，產(chǎn)能不好保證
  • 關鍵字： 紫光國芯  DRAM  

全球第四次DRAM戰(zhàn)爭：中韓定鼎之戰(zhàn)

  • 中國廠商在國際市場上已經(jīng)引起三星與海力士的警惕，而紫光、晉華等廠家也都在DRAM市場中進行著試探。
  • 關鍵字： DRAM  紫光  

紫光國芯:DRAM未來會考慮與長江存儲合作

  • 　　紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。 　　前不久，針對“存儲芯片行業(yè)增長很快，為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問，紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機構(gòu)進行互動問答時表示，西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設計業(yè)務，公司自身沒有制造環(huán)節(jié)，但市場上DRAM的代工廠很少，特別是在市場需求旺盛的時期，公司由于規(guī)模較小，產(chǎn)
  • 關鍵字： 紫光  DRAM  

內(nèi)存價格一年漲三倍：外企壟斷流通價格倒掛

  • 在此輪內(nèi)存漲價行情中，由于不少企業(yè)加大了建倉囤貨的力度，導致在內(nèi)存流通環(huán)節(jié)甚至出現(xiàn)了價格倒掛的現(xiàn)象。
  • 關鍵字： 內(nèi)存  DRAM  
共1836條 20/123 |‹ « 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 » ›|

美光1γ dram介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條美光1γ dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對美光1γ dram的理解，并與今后在此搜索美光1γ dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473