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修改部分設(shè)計(jì),三星第六代10納米級(jí)1cDRAM延后半年

  • 韓國媒體MeyyToday報(bào)導(dǎo),存儲(chǔ)器大廠三星將第六代10納米級(jí)1cDRAM制程開發(fā)延后六個(gè)月到6月才完成。 三星之前宣稱第六代10納米級(jí)1cDRAM制程2024年底開發(fā)完并量產(chǎn),但良率沒有提升,導(dǎo)致時(shí)程再延后半年,這會(huì)使預(yù)定下半年量產(chǎn)的第六代高頻寬存儲(chǔ)器(HBM4)一并延后。報(bào)導(dǎo)引用市場人士說法,三星第六代10納米級(jí)1c DRAM制程遇到困難。 盡管市場在2024年底左右,獲得了三星送交的第一個(gè)測試芯片,但因?yàn)闊o法達(dá)到預(yù)期的良率,因此將預(yù)定開發(fā)完成的時(shí)間延后六個(gè)月。 而在這六個(gè)月中,三星
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SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

  • 2024年8月29日,SK海力士宣布,全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級(jí)(1c)工藝的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào):“隨著10納米級(jí)DRAM技術(shù)的世代相傳,微細(xì)工藝的難度也隨之加大,但公司以通過業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代(1b)技術(shù)力為基礎(chǔ),提高了設(shè)計(jì)完成度,率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備,從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品,引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場發(fā)展。”公司以1b DRAM
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第六代介紹

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