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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第六代

修改部分設(shè)計，三星第六代10納米級1cDRAM延后半年

  • 韓國媒體MeyyToday報導(dǎo)，存儲器大廠三星將第六代10納米級1cDRAM制程開發(fā)延后六個月到6月才完成。 三星之前宣稱第六代10納米級1cDRAM制程2024年底開發(fā)完并量產(chǎn)，但良率沒有提升，導(dǎo)致時程再延后半年，這會使預(yù)定下半年量產(chǎn)的第六代高頻寬存儲器（HBM4）一并延后。報導(dǎo)引用市場人士說法，三星第六代10納米級1c DRAM制程遇到困難。 盡管市場在2024年底左右，獲得了三星送交的第一個測試芯片，但因為無法達(dá)到預(yù)期的良率，因此將預(yù)定開發(fā)完成的時間延后六個月。 而在這六個月中，三星
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SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM

  • 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲工藝技術(shù)。SK海力士強調(diào)：“隨著10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲器市場發(fā)展?！惫疽?b DRAM
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第六代介紹

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