空氣間隙結(jié)構(gòu) 文章 進(jìn)入空氣間隙結(jié)構(gòu)技術(shù)社區(qū)

半大馬士革集成中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)面臨的挑戰(zhàn)

• l  隨著芯片制造商向3nm及以下節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，后段模塊處理迎來(lái)挑戰(zhàn)l  半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)可能有助于縮短電阻電容的延遲時(shí)間 隨著器件微縮至3nm及以下節(jié)點(diǎn)，后段模塊處理迎來(lái)許多新的挑戰(zhàn)，這使芯片制造商開始考慮新的后段集成方案。 在3nm節(jié)點(diǎn)，最先進(jìn)的銅金屬化將被低電阻、無(wú)需阻擋層的釕基后段金屬化所取代。這種向釕金屬化的轉(zhuǎn)變帶來(lái)減成圖形化這一新的選擇。這個(gè)方法也被稱為“半大馬士革集成”，結(jié)合了最小間距互連的減成圖形化與通孔結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)大馬士革。 
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