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磁變存儲(chǔ)器
磁變存儲(chǔ)器 文章 進(jìn)入磁變存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)
MRAM,新興的黑馬
- 1956 年,IBM 推出世界上第一個(gè)硬盤驅(qū)動(dòng)器——RAMAC 305,可以存儲(chǔ) 5MB 的數(shù)據(jù),傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺(tái)冰箱,重量超過(guò)一噸,但是卻標(biāo)志著磁盤存儲(chǔ)時(shí)代的開始。此后,隨著科技的進(jìn)步,內(nèi)存技術(shù)逐漸發(fā)展。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM),具有較快的讀寫速度,能夠滿足計(jì)算機(jī)系統(tǒng)在運(yùn)行過(guò)程中對(duì)數(shù)據(jù)的快速存取需求。固態(tài)硬盤(SSD)以其高速的讀寫性能、低功耗和抗震動(dòng)等優(yōu)點(diǎn),逐漸取代傳統(tǒng)磁盤成為主流存儲(chǔ)設(shè)備之一。存儲(chǔ)技術(shù)仍舊在持續(xù)發(fā)展,近年來(lái)新型存儲(chǔ)技術(shù)如雨后春筍般涌現(xiàn),諸如相
- 關(guān)鍵字: 磁變存儲(chǔ)器 MRAM
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磁變存儲(chǔ)器介紹
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