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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 硅化物阻擋層（sab）

帶有硅化物阻擋層的可控硅器件對(duì)維持電壓的影響*

  • 基于0.18 μm雙極CMOS-DMOS（BCD）工藝，研究并實(shí)現(xiàn)了一種陽(yáng)極和陰極兩側(cè)均加入硅化物阻擋層（SAB）的可控硅（SCR）器件，可用于高壓靜電放電保護(hù)（ESD）。利用二維器件仿真平臺(tái)和傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)（TLP），預(yù)測(cè)和驗(yàn)證了SAB層對(duì)可控硅性能的影響。測(cè)量結(jié)果表明，在不增加器件面積的情況下，通過(guò)增加SAB層，器件的維持電壓（Vh）可以從3.03 V提高到15.03 V。與傳統(tǒng)SCR器件相比，帶有SAB層的SCR器件（SCR_SAB）具有更高的維持電壓。
  • 關(guān)鍵字： 可控硅（SCR）  硅化物阻擋層（SAB）  仿真  傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)（TLP）  維持電壓（Vh）  202109  
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硅化物阻擋層（sab）介紹

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