首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 相變存儲

Science發(fā)表西安交大合作研究成果：突破相變存儲速度極限

  • 　　11月10日，美國Science雜志以First Release的形式發(fā)表了西安交通大學(xué)與上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的合作論文——Reducing the stochasticity of crystal nucleation to enable sub-nanosecond memory writing(降低晶體成核隨機(jī)性以實現(xiàn)亞納秒數(shù)據(jù)存儲)，該工作從接收到在線發(fā)表僅10天。 　　處于數(shù)字全球化的今天，爆炸式增長的信息對數(shù)據(jù)的存儲與傳輸提出了極大的挑戰(zhàn)，而且目前商用計算體
  • 關(guān)鍵字： 相變存儲  

國產(chǎn)55納米相變存儲技術(shù)發(fā)布

  • 　　日前，寧波時代全芯科技有限公司正式發(fā)布中國自主研發(fā)的第一款具有自主知識產(chǎn)權(quán)的55納米相變存儲技術(shù)，為中國半導(dǎo)體存儲廠商在云計算和大數(shù)據(jù)時代開辟了一條自主創(chuàng)“芯”之路，結(jié)束了中國芯片存儲技術(shù)長期依靠進(jìn)口，徹底打破了中國的“無芯”時代。發(fā)布會現(xiàn)場，寧波市政府相關(guān)部門的領(lǐng)導(dǎo)、寧波鄞州工業(yè)園區(qū)的領(lǐng)導(dǎo)、行業(yè)專家和教授以及客戶代表、媒體記者約200人見證了55納米相變存儲技術(shù)的發(fā)布。 　　從靜態(tài)隨機(jī)存儲技術(shù)(SRAM)到動態(tài)隨機(jī)存儲技術(shù)(DRAM)再到當(dāng)前熱門
  • 關(guān)鍵字： 55納米  相變存儲  

中國芯片告別進(jìn)口 相變存儲技術(shù)問世

  • 　　11月28日，寧波時代全芯科技有限公司發(fā)布了自主研發(fā)的55納米相變存儲芯片，成為繼韓國三星、美國美光之后，世界上第三家、中國第一家擁有相變存儲技術(shù)自主知識產(chǎn)權(quán)的企業(yè)。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為這將有利于打破存儲器芯片生產(chǎn)技術(shù)被國外公司壟斷的局面。相變存儲是第四代存儲技術(shù)，比現(xiàn)有傳統(tǒng)芯片執(zhí)行速度快1000倍，耐久性高1萬倍。 　　支撐未來30年的存儲技術(shù) 　　以“芯時代、存世界”為主題的“2013寧波時代全芯科技產(chǎn)品發(fā)布會”11月28日在寧波舉行，寧波時代全
  • 關(guān)鍵字： 芯片  相變存儲  

我國已掌握新一代存儲芯片核心研發(fā)技術(shù)

  • 　　11月28日，寧波時代全芯科技有限公司在寧波現(xiàn)場發(fā)布了自主研發(fā)的55納米相變存儲芯片。這一成果的發(fā)布，使該公司成為繼韓國三星、美國美光之后，世界上第三家、中國第一家擁有相變存儲技術(shù)自主知識產(chǎn)權(quán)的企業(yè)，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為這將有利于打破存儲器芯片生產(chǎn)技術(shù)被國外公司壟斷的局面。 　　目前靜態(tài)隨機(jī)存儲技術(shù)、動態(tài)隨機(jī)存儲技術(shù)和快閃存儲技術(shù)應(yīng)用最為廣泛。近幾年才逐漸步入商品化的最新一代存儲技術(shù)——相變存儲技術(shù)，由于是利用材料相變產(chǎn)生不同的特性作資料存儲，存儲容量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于目前的高端硬盤。與現(xiàn)
  • 關(guān)鍵字： 存儲芯片  相變存儲  

三星出貨全球首款多芯片封裝相變存儲顆粒

  • 　　相變存儲技術(shù)看來終于要走出實驗室，走向市場了。繼Numonyx宣布出貨Omneo系列相變存儲芯片后，三星電子近日也宣布，推出全球首款多芯片封裝(MCP)PRAM相變存儲顆粒產(chǎn)品。 　　相變存儲屬于非易失性存儲技術(shù)，可以像閃存那樣在關(guān)機(jī)后繼續(xù)保持?jǐn)?shù)據(jù)。三星就表示，這款512Mbit容量MCP封裝PRAM顆粒在軟硬件功能上都和40nm級NOR閃存顆粒完全兼容，方便客戶廠商在產(chǎn)品中加入該存儲顆粒。由于相變存儲技術(shù)的高寫入速度特性，采用PRAM可有效提升數(shù)碼設(shè)備的存儲速度。 　　三星表示，多芯片封裝PRA
  • 關(guān)鍵字： Numonyx  相變存儲  NOR  

IEEE：NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限

  • 　　《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術(shù)，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機(jī)械硬盤，結(jié)果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機(jī)存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機(jī)存取存儲(STTRAM)。 　　PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結(jié)晶態(tài)和非結(jié)晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內(nèi)能保存多個比特，因此存儲密度和成本
  • 關(guān)鍵字： NAND  閃存  相變存儲  
共6條 1/1 1

相變存儲介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條相變存儲!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對相變存儲的理解，并與今后在此搜索相變存儲的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

相變存儲視頻

更多

熱門主題

相變存儲器    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473