電源技術(shù) 文章進(jìn)入電源技術(shù)技術(shù)社區(qū)

凌華科技ETX模塊新品支持SATA和雙通道24位LVDS

凌華科技宣布推出最新模塊化計(jì)算機(jī)ETX新品ETX-NR667。ETX-NR667符合最新ETX 3.02規(guī)格，特別增加了兩個(gè)SATA端口連接器，可以與早期ETX版本完全兼容。這意味著目前ETX載板不需要經(jīng)過(guò)任何修正即可支持ETX-NR667新的SATA儲(chǔ)存功能。嵌入式計(jì)算機(jī)模塊的中心概念就是利用現(xiàn)成的核心模塊搭配客制化的載板，以大幅縮短產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)周期以及上市時(shí)間。正因?yàn)槿绱?，系統(tǒng)
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凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器 LTC4442/-1

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4442/-1，該器件用來(lái)在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這種驅(qū)動(dòng)器與凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器組合使用時(shí)，可組成完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器可以吸收高達(dá)
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凌力爾特推出高壓 DC/DC微型模塊穩(wěn)壓器系統(tǒng) LTM8022和LTM8023

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出電流分別為 1A 和 2A、輸入電壓高達(dá) 36V (最大 40V)、輸出電壓高達(dá) 10V 的高壓 DC/DC 微型模塊 (uModuleTM) 穩(wěn)壓器系統(tǒng) LTM8022 和 LTM8023。10V 的輸出電壓范圍非常適用于 9.6V 中間總線系統(tǒng)，而 36V 輸入在 24V 和 28V 系統(tǒng)中提供充足的輸入保護(hù)。這兩款器件是凌力爾特公司 LTM802x 高壓微型模塊穩(wěn)壓器系列的最新成員。LTM8022 和 LTM802
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DC-DC轉(zhuǎn)換器的電磁兼容技術(shù)

　　摘要：本文簡(jiǎn)單分析了dc-dc轉(zhuǎn)換器的電磁干擾(emi)產(chǎn)生的機(jī)理，并對(duì)dc-dc轉(zhuǎn)換器的emc設(shè)計(jì)進(jìn)行了有側(cè)重的探討和總結(jié)。　　關(guān)鍵詞：dc-dc轉(zhuǎn)換器;電磁兼容;電磁干擾　　引言　　dc-dc轉(zhuǎn)換器是通信系統(tǒng)的動(dòng)力之源，已在通信領(lǐng)域中達(dá)到廣泛應(yīng)用。由于具有高頻率、寬頻帶和大功率密度，它自身就是一個(gè)強(qiáng)大的電磁干擾(emi)源，嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致周?chē)碾娮釉O(shè)備功能紊亂，使通信系統(tǒng)傳輸數(shù)據(jù)錯(cuò)誤、出現(xiàn)異常的停機(jī)和報(bào)警等，造成不可彌補(bǔ)的后果;同時(shí)，dc-dc轉(zhuǎn)換器本身也置身于周?chē)姶怒h(huán)境中，對(duì)周?chē)碾?/li>
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新款獨(dú)立型線性鋰離子電池充電器

　　可再充電電池常常被用來(lái)為諸如數(shù)碼相機(jī)、pda、移動(dòng)電話和mp3播放機(jī)等便攜式設(shè)備供電。交流適配器是最常用的充電電源，不過(guò)，越來(lái)越多的應(yīng)用開(kāi)始接入可用的usb電源。ltc4061和ltc4062就是專為利用上述兩種電源的任一種來(lái)給單節(jié)鋰離子電池充電而設(shè)計(jì)的。　　這兩款器件均采用恒定電流/恒定電壓算法來(lái)提供高達(dá)1a的充電電流(可設(shè)置)，并具有
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非標(biāo)準(zhǔn)化傳感器信號(hào)調(diào)理的一種新方法

　　引言　　對(duì)于具有標(biāo)準(zhǔn)化分度號(hào)的傳感器，目前，市場(chǎng)上一般有與之對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)化信號(hào)調(diào)理電路。由于這些標(biāo)準(zhǔn)化信號(hào)調(diào)理電路是標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)、批量生產(chǎn)的，因此，其可靠性高，價(jià)格一般也較為合理。但具有標(biāo)準(zhǔn)化分度號(hào)的傳感器在整個(gè)傳感器家族中卻僅占少數(shù)。當(dāng)人們?cè)谘兄颇承y(cè)量系統(tǒng)的過(guò)程中不得不選用非標(biāo)準(zhǔn)化傳感器時(shí)，一般需要設(shè)計(jì)、制作相應(yīng)的信號(hào)調(diào)理電路。由于任何電子產(chǎn)品的成熟都需要一個(gè)可靠性增長(zhǎng)過(guò)程，如果所研制的測(cè)量系統(tǒng)生產(chǎn)批量不是太大，則信號(hào)調(diào)理電路的可靠性、穩(wěn)定性難以保證，勢(shì)必影響整個(gè)測(cè)量系統(tǒng)的可靠性、穩(wěn)定性。由于目前
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08年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景黯淡產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險(xiǎn)

　　2008年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景黯淡，資本開(kāi)支預(yù)計(jì)下滑超過(guò)3%。Hosseini預(yù)測(cè)，前端設(shè)備訂單不穩(wěn)定情況將維持到2008年下半年，而后端設(shè)備預(yù)計(jì)也充滿變數(shù)。　　他在報(bào)告中指出，“DRAM行業(yè)基本狀況繼續(xù)惡化，由于芯片單元增長(zhǎng)率出現(xiàn)拐點(diǎn)，2008年上半年晶圓廠產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險(xiǎn)。我們預(yù)計(jì)前端設(shè)備訂單繼續(xù)下滑，下滑情況可能會(huì)持續(xù)到2008年第3季度?！彼瑫r(shí)表示，“從2007年第3季度到2008年第3季度，預(yù)計(jì)后端訂單勢(shì)頭平緩至下滑，之后有望重現(xiàn)恢復(fù)?！? 　　他最大的擔(dān)憂在DRAM行業(yè)，預(yù)計(jì)“整
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2008年中國(guó)PND市場(chǎng)容量超230萬(wàn)臺(tái)

　　賽迪顧問(wèn)數(shù)據(jù)顯示，2006年全球PND(便攜式導(dǎo)航系統(tǒng))市場(chǎng)整體規(guī)模達(dá)到1099萬(wàn)臺(tái)，市場(chǎng)保持高度成長(zhǎng)。賽迪顧問(wèn)預(yù)計(jì)，2007年全年全球PND市場(chǎng)銷售量將達(dá)到1896萬(wàn)臺(tái)。除了歐洲、北美和日本等發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)市場(chǎng)繼續(xù)保持較快增長(zhǎng)外，中國(guó)等其他新興市場(chǎng)也成為拉動(dòng)全球PND市場(chǎng)增長(zhǎng)的重要引擎。　　電子企業(yè)轉(zhuǎn)戰(zhàn)PND市場(chǎng) 　　2006年之前甚至更早，GPS衛(wèi)星導(dǎo)航產(chǎn)品受生產(chǎn)成本限制，一度以奢侈品身份登陸市場(chǎng)，其近萬(wàn)元的價(jià)格讓大多數(shù)消費(fèi)者望而卻步。隨著民用導(dǎo)航技術(shù)的發(fā)展，GPS導(dǎo)航產(chǎn)品成本大幅下降，GP
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中國(guó)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)能增速居全球之首

　　據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備及材料協(xié)會(huì)(SEMICON)中國(guó)區(qū)總裁丁輝文介紹，2007年中國(guó)半導(dǎo)體芯片制造業(yè)產(chǎn)能較2000年增長(zhǎng)859%，超過(guò)美國(guó)、歐洲和日本，居全球之首。　　據(jù)介紹，目前，中國(guó)已成為國(guó)際半導(dǎo)體芯片制造業(yè)投資最為密集的地區(qū)之一，是全球半導(dǎo)體芯片制造增長(zhǎng)最為迅速的市場(chǎng)。長(zhǎng)三角地區(qū)是中國(guó)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的核心，集聚眾多國(guó)際領(lǐng)先廠商。同時(shí)，長(zhǎng)三角地區(qū)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)能占全國(guó)的85%，擁有全國(guó)產(chǎn)能最高、技術(shù)等級(jí)最強(qiáng)的12英寸半導(dǎo)體生產(chǎn)線。2000年，中芯國(guó)際和宏利半導(dǎo)體的投產(chǎn)標(biāo)志著中國(guó)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)入迅猛
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奧地利微電子發(fā)布超低噪聲300mA LDO

　　奧地利微電子公司推出 AS1358/59/61/62 系列，擴(kuò)展其低壓降穩(wěn)壓器 (LDO) 產(chǎn)品線。優(yōu)化后的系列可在1kHz典型條件下實(shí)現(xiàn)低于9µVRMS和高達(dá)92dB PSRR 的突出噪聲性能。奧地利微電子利用新產(chǎn)品系列為市場(chǎng)提供了同類產(chǎn)品中最高性能的 LDO 產(chǎn)品。　　AS1358/59/61/62 系列可在 2V 至 5.5V電源下工作，是雙節(jié)或三節(jié)標(biāo)準(zhǔn)電池以及單節(jié)鋰電池供電應(yīng)用的理想 LDO。這些新型超低噪聲 IC 在 150mA 時(shí)的低壓降電壓為 70mV，在300mA 時(shí)為
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基于AD598的位移傳感器的誤差研究

　　引言　　在信息采集系統(tǒng)中，傳感器通常處于系統(tǒng)前端，即檢測(cè)和控制系統(tǒng)之首，它提供給系統(tǒng)處理和決策所必需的原始信息，因此，傳感器的精度對(duì)整個(gè)系統(tǒng)是至關(guān)重要的。在位移、速度及加速度的測(cè)量中，經(jīng)常使用差動(dòng)變壓器式傳感器，原因是其靈敏度高、線性好且有配套集成電路，但傳統(tǒng)的LVDT傳感器對(duì)工作電源的穩(wěn)定性和精度要求太高，且電路板大都由分離元件搭接而成，極易產(chǎn)生松脫和受潮變質(zhì)現(xiàn)象，從而影響傳感器的使用壽命和整體性能。本文介紹一種基于AD598信號(hào)處理芯片的LVDT直線位移傳感器，并通過(guò)實(shí)例對(duì)其誤差和精度進(jìn)行探
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基于ADSP-TS101的頻譜細(xì)化

　　在信號(hào)處理分析中，最常用到的是時(shí)域分析和頻域分析。其中信號(hào)的頻域分析有著廣闊的發(fā)展和研究空間。隨著對(duì)信號(hào)處理要求的不斷提高，用簡(jiǎn)單的FFT變換來(lái)對(duì)信號(hào)進(jìn)行時(shí)頻變換的方法在某些場(chǎng)合可能達(dá)不到我們所要求的頻率分辨率。如果靠簡(jiǎn)單的加大FFT點(diǎn)數(shù)來(lái)增加分辨率無(wú)疑也大大地增加了系統(tǒng)的運(yùn)算量，這在某些實(shí)時(shí)性要求較高的場(chǎng)合是不允許的。本文詳細(xì)介紹了如何在快速傅里葉變換(FFT)的基礎(chǔ)上輔以傅里葉變換來(lái)實(shí)現(xiàn)頻譜細(xì)化。并給出了具體的設(shè)計(jì)實(shí)例加以說(shuō)明。　　1 原理介紹　　對(duì)于一個(gè)有限長(zhǎng)時(shí)間的離散信號(hào)序列而言，其頻
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TI 推出全新封裝尺寸的XIO2000A

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布針對(duì) XIO2000A 推出全新12x12 毫米封裝尺寸。這款PCI Express 至 PCI 總線轉(zhuǎn)換橋接器件主要針對(duì) PCI Express 迷你卡與 ExpressCard，理想適用于板級(jí)空間有限的移動(dòng)計(jì)算市場(chǎng)。　　XIO2000A 現(xiàn)已開(kāi)始供貨。該器件采用 12x12 毫米封裝尺寸，在延續(xù)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) 0.8 毫米焊球間距的同時(shí)，將外形較前代產(chǎn)品縮小了 36%。　　TI 還針對(duì)其 XIO2200A PCI Express 至 1394a 端點(diǎn)器件推出了全新的
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Andigilog——One day we will be the world wide

Andigilog是一家成立于1996年目前擁有40名員工的模擬與混合信號(hào)半導(dǎo)體公司，他們?yōu)橐苿?dòng)電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)、通信及消費(fèi)類電子提供熱量解決方案。Andigilog的總部設(shè)在美國(guó)亞利桑那州，主要負(fù)責(zé)模擬產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)及市場(chǎng)和銷售方面，其在香港、泰國(guó)和臺(tái)灣的部門(mén)分別負(fù)責(zé)數(shù)字設(shè)計(jì)和晶圓探測(cè)、集成與測(cè)試以及CMOS處理?！拔覀児灸壳耙?guī)模不大，”Andigilog市場(chǎng)主管Mark Gordon說(shuō)，“像ADI、TI等世界級(jí)大公司擁有上百種溫度傳感產(chǎn)品，而他們并不是我們的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，雖然我們不是世界級(jí)
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超寬帶窄脈沖發(fā)射芯片及應(yīng)用系統(tǒng)電路實(shí)現(xiàn)

　　摘要：本文給出了一個(gè)基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)芯片實(shí)現(xiàn)的超寬帶窄脈沖發(fā)射電路及測(cè)試結(jié)果，通過(guò)超低功耗單片機(jī)MSP430F123控制超寬帶脈沖發(fā)射機(jī)芯片，可實(shí)現(xiàn)高速率數(shù)據(jù)的無(wú)線發(fā)射，所采用的超寬帶發(fā)射機(jī)芯片基于0.18mm CMOS工藝設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，能夠以0~800Mpps的脈沖重復(fù)頻率產(chǎn)生寬度約為500ps的超寬帶窄脈沖信號(hào)，經(jīng)過(guò)脈沖整形電路后，信號(hào)的頻譜在500MHz~1.5GHz之間，發(fā)射功率譜密度低于-41.3dBm/MHz。　　關(guān)鍵詞：超寬帶;窄脈沖;射頻標(biāo)簽;無(wú)線通信芯片　　前言　　超寬帶
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