電子元件老化 文章 進入電子元件老化技術(shù)社區(qū)
電子元件老化——電壓基準中的長期漂移(LTD)
- 了解制造商如何表征和估計用于電子元件老化預測的電壓參考的長期漂移(LTD)。雖然電壓參考的輸出在理想情況下應(yīng)該與溫度和時間無關(guān),但現(xiàn)實世界的電壓參考可能會受到溫度和老化的影響。考慮到這一點,本文將討論制造商如何表征和估計電壓參考的LTD。為了更好地為本文做好準備,閱讀之前的文章以了解石英晶體、電阻器和放大器的老化效應(yīng)可能很重要。電壓基準的老化效應(yīng)總的來說,電壓基準的輸出會隨時間而變化。通常,半導體材料的摻雜水平和封裝材料施加到電壓參考管芯的物理應(yīng)力會隨時間變化,導致電壓參考輸出中的LTD。電壓參考的LTD
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電子元件老化——電阻和運算放大器的老化效應(yīng)
- 使用溫度計算和Arrhenius方程了解電阻器和放大器的老化行為,以了解電阻器漂移、電阻器穩(wěn)定性和運算放大器漂移。之前,我們討論了使用相對較短的測試時間來評估電子元件長期穩(wěn)定性的高溫加速老化方法。在本文中,我們將繼續(xù)討論并研究電阻器和放大器的老化行為。老化預測——老化引起的電阻漂移首先,讓我們記住電阻器的值會隨著時間而變化。在許多電路中,只需要總的精度,電阻器老化可能不是一個嚴重的問題。然而,某些精密應(yīng)用需要在指定壽命內(nèi)長期漂移低至百萬分之幾的電阻器。因此,開發(fā)具有足夠精度的老化預測模型以確保所采用的精密
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用Arrhenius方程預測電子元件老化
- 了解如何計算老化過程的活化能,以及關(guān)于Arrhenius方程在預測晶體老化過程時的有用性的一些相互矛盾的觀點。在之前的一篇文章中,我們討論了高溫加速老化方法是一種有效的技術(shù),它使制造商能夠使用相對較短的測試時間來確定電子元件的長期穩(wěn)定性。例如,使用這種方法,從30天的測試中獲得的數(shù)據(jù)可能足以以可接受的精度確定一年后晶體的漂移。為了應(yīng)用這項技術(shù),我們需要知道衰老過程的活化能。在這篇文章中,我們將了解更多關(guān)于計算老化過程的活化能。我們還將探討關(guān)于Arrhenius方程/公式在應(yīng)用于老化預測問題時的有用性的一些
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評估電子元件老化和穩(wěn)定性的高溫老化方法
- 了解由于使用石英晶體的溫度和時間,以及應(yīng)用外推方法、老化方程和Arrhenius方程,電子元件的老化和穩(wěn)定性挑戰(zhàn)。即使有固定的輸入,電子電路也不是完全穩(wěn)定的;經(jīng)常隨時間和溫度漂移。這些與理想行為的偏差會給精確測量增加相當大的誤差。隨時間漂移,也稱為長期穩(wěn)定性,是需要長時間高精度應(yīng)用的關(guān)鍵因素。測量系統(tǒng)的初始精度誤差通??梢酝ㄟ^初始校準來消除;然而,消除長期漂移的誤差需要定期校準。此外,這些校準在某些工業(yè)、醫(yī)療、軍事和航空航天應(yīng)用中可能不切實際。在這篇文章中,我們將介紹評估電子元件長期穩(wěn)定性的高溫加速老化方
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電子元件老化介紹
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