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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 漏極

漏極和源極之間產生的浪涌

  • 開關導通時，線路和電路板版圖的電感之中會直接積蓄電能（電流能量）。當該能量與開關器件的寄生電容發(fā)生諧振時，就會在漏極和源極之間產生浪涌。下面將利用圖1來說明發(fā)生浪涌時的振鈴電流的路徑。這是一個橋式結構，在High Side（以下簡稱HS）和Low Side（以下簡稱LS）之間連接了一個開關器件，該圖是LS導通，電路中存在開關電流IMAIN的情形。通常，該IMAIN從VSW流入，通過線路電感LMAIN流動。本文的關鍵要點?漏極和源極間的浪涌是由各種電感分量和MOSFET寄生電容的諧振引起的。?在實際的版圖設
  • 關鍵字： ROHM  漏極  源極  

上下拉電阻作用的引申―OC,OD門

  • OC(open collector)是集電極開路，必須外界上拉電阻和電源才能將開關電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關大電壓和大電流負載，所以又叫做驅動
  • 關鍵字： OC  OD  集電極  漏極  上下拉電阻  

基于漏極導通區(qū)特性理解MOSFET開關過程

  • 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法：基于功率MOSFET的導通區(qū)特性的開關過程，并詳細闡述了其開關過程。
  • 關鍵字： MOSFET  漏極  導通  開關過程    
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漏極介紹

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點， [ 查看詳細 ]

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