氧化鎵晶體 文章 進入氧化鎵晶體技術(shù)社區(qū)

日本團隊采用新技術(shù)制備氧化鎵晶體

• 作為一種新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，氧化鎵具備大禁帶寬度（4.8eV）、高臨界擊穿場強（8MV/cm）和良好的導(dǎo)通特性，與碳化硅和氮化鎵相比，氧化鎵在大功率和高頻率應(yīng)用中具有優(yōu)勢，且導(dǎo)通電阻更低，損耗更小。目前，中國、日本、韓國等國的研究機構(gòu)和團隊在氧化鎵材料的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面都取得了一定的進展。其中，廈門大學(xué)的研究團隊在氧化鎵外延生長技術(shù)和日盲光電探測器制備方面取得了重要進展，利用分子束外延技術(shù)（MBE）實現(xiàn)了高質(zhì)量、低缺陷密度的外延薄膜生長，推動了氧化鎵薄膜高質(zhì)量異質(zhì)外延的發(fā)展；中國電科46所通過改
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