模擬電子 文章 進(jìn)入模擬電子技術(shù)社區(qū)
模擬電子教學(xué)方法的改進(jìn)
- 在模擬電子技術(shù)教學(xué)內(nèi)容方面，實(shí)際模擬電子線路從電子管電路、晶體管電路、集成電路已經(jīng)發(fā)生了巨大變化。從晶體管問世到現(xiàn)在也就60年，但大規(guī)模及超過大規(guī)模集成電路已經(jīng)幾乎取代了分立的晶體管電路。模數(shù)混合的片上系統(tǒng)電路也管理使用，因此模擬電子技術(shù)的教學(xué)內(nèi)容一直是一個(gè)熱門話題。周老師剛才講的東西，實(shí)際我們學(xué)校也同樣存在。 模電比較難教，也比較難學(xué)。我們學(xué)校，模電一直被學(xué)生稱為“魔電”。模擬電路的分析設(shè)計(jì)，一直是學(xué)生所厭惡的。學(xué)生重?cái)?shù)字電路，輕模擬電路，喜歡軟件害怕硬件的現(xiàn)象普遍存在。因此，
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反饋的基本概念
- 反饋的基本概念 1 ．概述 反饋定義為：將放大電路輸出信號(hào)（電壓或電流）的部分或全部通過一定的電路（反饋電路）回送到輸入回路的反送過程。一個(gè)反饋放大器的框圖如圖 6.1 所示。 反饋放大電路的框圖 2 ．反饋放大器分類 (1) 根據(jù)輸出端取樣對象分類 可分為電壓反饋和電流反饋兩類。電壓反饋的反饋信號(hào)取自輸出電壓，反饋量與輸出電壓成正比。如圖 6.2 （ a ）和（ b ）。電流反饋的反饋信號(hào)取自輸出電流，反饋量與輸出電流成正比。如圖 8.2 （ c ）和（ d ）。 (2) 根據(jù)與
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半導(dǎo)體基礎(chǔ)技術(shù)小結(jié)
- 半導(dǎo)體基礎(chǔ)技術(shù)小結(jié) 1. 半導(dǎo)體有光敏、熱敏和摻雜特性。 ２.PN 結(jié)具有單向?qū)щ娦裕?P ＋ N － 導(dǎo)通， P － N ＋ 截止。 3. 二極管的內(nèi)部就是一個(gè) PN 結(jié)，正向偏置導(dǎo)通，反向偏置截止。 4. 三極管內(nèi)部有二個(gè) PN 結(jié)，三極管放大的實(shí)質(zhì)是以很小的基極電流控制較大的集電極電流。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，三極管工作在放大狀態(tài)，在放大狀態(tài)時(shí) I C ＝ β I B I E ＝ I B ＋ I C ＝（ 1 ＋ β ） I B 5. 場效應(yīng)管是以很小的柵源電壓控制較大的漏極電流。
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PN 結(jié)的形成及特性
- ＰＮ結(jié)的形成 ?。?）當(dāng)Ｐ型半導(dǎo)體和Ｎ型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，由于交界面處存在 載流子濃度的差異 ，這樣電子和空穴都要 從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散 。但是，電子和空穴都是帶電的，它們擴(kuò)散的結(jié)果就使Ｐ區(qū)和Ｎ區(qū)中原來的電中性條件破壞了。Ｐ區(qū)一側(cè)因失去空穴而留下不能移動(dòng)的負(fù)離子，Ｎ區(qū)一側(cè)因失去電子而留下不能移動(dòng)的正離子。這些不能移動(dòng)的帶電粒子通常稱為 空間電荷 ，它們集中在Ｐ區(qū)和Ｎ區(qū)交界面附近，形成了一個(gè)很薄的空間電荷區(qū)，這就是我們所說的 ＰＮ結(jié) 。
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半導(dǎo)體三極管
- 1 三極管的結(jié)構(gòu)和分類 三極管在模擬電子電路中其主要作用是構(gòu)成放大電路。 結(jié)構(gòu)： 三個(gè)區(qū)、 二個(gè)結(jié)、 三個(gè)電極。 分類：三極管如按結(jié)構(gòu)可分為 NPN 型和 PNP 型；按所用的半導(dǎo)體材料可分為硅管和鍺管；按功率可分為大、中、小功率管；按頻率特性可分為低頻管和高頻管等。 2 電流分配和放大作用 三極管放大條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 1. 發(fā)射區(qū)發(fā)射電子形成 I E ＝ I B ＋ I C 2. 基區(qū)復(fù)合電子形成 I B
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場效應(yīng)管
- 絕緣柵場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號(hào) 三極管稱電流控制元件；場效應(yīng)管稱電壓控制元件。 場效應(yīng)管具有輸入電阻高（最高可達(dá) 10 15 Ω）、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、耗電省等優(yōu)點(diǎn)。
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半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)
- 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 一、物體按導(dǎo)電能力分類 導(dǎo)體： 導(dǎo)電能力強(qiáng)，如金屬。 絕緣體： 導(dǎo)電能力很差，如橡膠、陶瓷。 半導(dǎo)體： 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。 二、半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu) 現(xiàn)代半導(dǎo)體材料主要使用硅和鍺（S i：14；G e：32），其外層 均有四個(gè)價(jià)電子，而原子核和除價(jià)電子外的內(nèi)層電子組成慣性核。 其簡化模型為： 三、半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu) 共價(jià)鍵制造半導(dǎo)體器件的硅和鍺是單晶材料，具有金剛石結(jié)構(gòu)，每個(gè)原 子和相鄰四個(gè)原子結(jié)合，每個(gè)原子的外層四個(gè)價(jià)電子分別與相鄰的四個(gè) 原子的價(jià)電
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模擬電子介紹
信號(hào)在時(shí)間和數(shù)值上都是連續(xù)變化的信號(hào)稱為模擬信號(hào).模擬信號(hào)是指用連續(xù)變化的物理量表示的信息，其信號(hào)的幅度，或頻率，或相位隨時(shí)間作連續(xù)變化，如目前廣播的聲音信號(hào)，或圖像信號(hào)等。模擬電子主要內(nèi)容包含有:常用半導(dǎo)體器,基本放大電路,多級(jí)放大電路,集成運(yùn)算放大電路,放大電路的頻率響應(yīng),放大電路中的反饋,信號(hào)的運(yùn)算和處理,波形的發(fā)生和信號(hào)的轉(zhuǎn)換,功率放大電路,直流電源,模擬電子電路讀圖這些內(nèi)容.如果需要詳細(xì) [ 查看詳細(xì) ]
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