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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 模擬開(kāi)關(guān)

Nexperia推出新一代低壓模擬開(kāi)關(guān) 簡(jiǎn)化汽車和工業(yè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 奈梅亨，2024年3月5日：全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出全新的專用于監(jiān)測(cè)和保護(hù)1.8 V電子系統(tǒng)的4通道和8通道模擬開(kāi)關(guān)系列產(chǎn)品。該系列多路復(fù)用器包含適用于汽車應(yīng)用的AEC-Q100認(rèn)證型號(hào)，以及適用于更廣泛的消費(fèi)類和工業(yè)應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)版本，例如用于傳感器監(jiān)測(cè)與診斷、企業(yè)計(jì)算以及家用電器等場(chǎng)景。在使用模擬開(kāi)關(guān)時(shí)，由于控制電路的電壓與模擬開(kāi)關(guān)的電源電壓不匹配，設(shè)計(jì)人員通常需要額外采用電平轉(zhuǎn)換器。相比之下，NMUX1308和NMUX1309開(kāi)關(guān)中的控制引腳可以不受其供電電壓范
  • 關(guān)鍵字： Nexperia  低壓模擬開(kāi)關(guān)  模擬開(kāi)關(guān)  

模擬開(kāi)關(guān)用途和基本操作

  • 本應(yīng)用筆記描述了傳輸門的用途和基本操作。本文解釋了如何使用傳輸門以的電路板面積投資來(lái)快速隔離多個(gè)信號(hào)，并且這些關(guān)鍵信號(hào)的特性下降可以忽略不計(jì)。DS3690 是示例設(shè)備。本應(yīng)用筆記描述了傳輸門的用途和基本操作。本文解釋了如何使用傳輸門以的電路板面積投資來(lái)快速隔離多個(gè)信號(hào)，并且這些關(guān)鍵信號(hào)的特性下降可以忽略不計(jì)。DS3690 是示例設(shè)備。傳輸門是一種模擬開(kāi)關(guān)，可以選擇性地阻止信號(hào)傳輸。在本應(yīng)用筆記中，我們將定義傳輸門的含義、其基本操作和終目的。例如，DS3690 器件用于隔離多個(gè)信號(hào)，并且對(duì)電路板面積的投資，
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什么是傳輸門（模擬開(kāi)關(guān)）

  • 本應(yīng)用筆記描述了輸電門的用途和基本操作。本文解釋了如何使用傳輸門快速隔離多個(gè)信號(hào)，同時(shí)對(duì)電路板面積的投資最少，并且這些關(guān)鍵信號(hào)的特性下降可以忽略不計(jì)。DS3690是示例器件。本應(yīng)用筆記描述了輸電門的用途和基本操作。本文解釋了如何使用傳輸門快速隔離多個(gè)信號(hào)，同時(shí)對(duì)電路板面積的投資最少，并且這些關(guān)鍵信號(hào)的特性下降可以忽略不計(jì)。DS3690是示例器件?；静僮鱾鬏旈T或模擬開(kāi)關(guān)被定義為一種電子元件，它將選擇性地阻止或傳遞從輸入到輸出的信號(hào)電平。該固態(tài)開(kāi)關(guān)由pMOS晶體管和nMOS晶體管組成?？刂茤艠O以互補(bǔ)方式偏置
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高保真模擬開(kāi)關(guān)，敲開(kāi)美妙音頻的大門

  • 在電池供電的便攜式音頻設(shè)備中通常會(huì)使用到揚(yáng)聲器（Speaker）和接收器（Receiver）。D 類音頻功率放大器（Smart PA）被用于驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器，以提供高功率的音頻信號(hào)。但其高達(dá)十幾伏的輸出電壓往往會(huì)損壞低壓設(shè)計(jì)的接收器（Receiver）驅(qū)動(dòng)器。此時(shí)，高性能模擬開(kāi)關(guān)就可以用在兩者之間提供安全隔離。而在另一應(yīng)用場(chǎng)景中，為了提高便攜式設(shè)備的音頻性能，制造商總是選擇外部音頻功率放大器來(lái)取代內(nèi)部集成的功率放大器。由于音頻線路輸出或頭戴式耳機(jī)驅(qū)動(dòng)器的輸出音頻信號(hào)質(zhì)量更好，因此常常選擇這些音頻信號(hào)作為外部揚(yáng)聲
  • 關(guān)鍵字： 圣邦微   模擬開(kāi)關(guān)  

基于單片機(jī)的RLC電抗參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)與應(yīng)用*

  • 針對(duì)傳統(tǒng)RLC電抗參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)復(fù)雜、功耗大、精度低等方面的局限，設(shè)計(jì)了一種基于單片機(jī)的RLC電抗參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，利用振蕩電路與待測(cè)元件的線性關(guān)系準(zhǔn)確測(cè)量RLC器件的電抗參數(shù)。系統(tǒng)采用STC89C52單片機(jī)作為中心控制器，NE555產(chǎn)生計(jì)數(shù)脈沖，CD4052模擬開(kāi)關(guān)切換測(cè)量模式，操作簡(jiǎn)單實(shí)用。經(jīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)試，RLC參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)響應(yīng)快、精度高、穩(wěn)定性強(qiáng)，具有很強(qiáng)的使用價(jià)值。
  • 關(guān)鍵字： RLC  單片機(jī)  NE555  模擬開(kāi)關(guān)  多諧振蕩  

請(qǐng)注意模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器，它很重要

  • 　　請(qǐng)注意模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器，它們是信號(hào)通道的關(guān)鍵元件。設(shè)計(jì)人員應(yīng)當(dāng)了解這些重要模擬部件的應(yīng)用和規(guī)格?！　∫?點(diǎn)　　模擬開(kāi)關(guān)的主要規(guī)格是電壓、導(dǎo)通電阻、電容、電荷注入、速度和封裝?！　〗橘|(zhì)絕緣工藝可防止一些開(kāi)關(guān)的閂鎖?！　￠_(kāi)關(guān)的工作范圍從直流到 400 MHz ，甚至更高。　　MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))開(kāi)關(guān)在高頻下運(yùn)行良好，但存在可靠性問(wèn)題，并且封裝費(fèi)用昂貴。　　如果您是在仿真一個(gè)模擬開(kāi)關(guān)，要確保對(duì)全部寄生成分的建模。　　沒(méi)有哪個(gè) IC 原理圖符號(hào)能比模擬開(kāi)關(guān)的符號(hào)更簡(jiǎn)單(圖 1a )。一個(gè)基本開(kāi)關(guān)僅包括
  • 關(guān)鍵字： 模擬開(kāi)關(guān)，多路復(fù)用器  

模擬開(kāi)關(guān)ISL54230智在能手機(jī)中的應(yīng)用

  • ISL54230是Intersil公司生產(chǎn)的新型四通道雙極雙擲(DPDT)模擬開(kāi)關(guān)，它采用+2．0～十5．5 V單電源工作。該芯片內(nèi)部包括有可配置成4個(gè)DPDT單元的8個(gè)單極
  • 關(guān)鍵字： 模擬開(kāi)關(guān)  ISL54230  智能手機(jī)  

高速差動(dòng)模擬開(kāi)關(guān)

高性能的模擬開(kāi)關(guān)

四通道模擬開(kāi)關(guān)

擺幅電容支持音頻放大器多路復(fù)用，延長(zhǎng)電池壽命

  • D類升壓放大器驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器的電壓高于供電電壓，由于可以用單節(jié)鋰離子(Li+)電池供電就能實(shí)現(xiàn)較高性能的音頻，這類放大器應(yīng)用廣泛。然而，大多數(shù)D類升壓放大器并不為用戶提供內(nèi)部升壓后的電壓，這就使復(fù)用揚(yáng)聲器難以利
  • 關(guān)鍵字： 音頻放大器    擺幅電容    多路復(fù)用    電池壽命    模擬開(kāi)關(guān)  

基于CMOS模擬開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)平衡混頻器

  • 1 引言近年來(lái)，無(wú)線通信技術(shù)得到了迅猛地發(fā)展。它對(duì)收發(fā)信機(jī)前端電路提出的新要求是：高線性，低電壓，低功耗，高度集成?；祛l器作為無(wú)線通信系統(tǒng)射頻前端的核心部分之一，其性能的好壞將直接影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。從
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基于ADS1256的地震數(shù)據(jù)采集電路設(shè)計(jì)

  • 基于ADS1256的地震數(shù)據(jù)采集電路設(shè)計(jì),摘要：介紹了以ARM內(nèi)核S3C2440為處理器，24位自帶模擬開(kāi)關(guān)的ADS1256芯片為A/D轉(zhuǎn)換和信號(hào)輸入通道選擇，利用其特性、工作原理來(lái)設(shè)計(jì)具有高精度、多通道、實(shí)時(shí)操作性強(qiáng)的地震數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)電路。數(shù)據(jù)通過(guò)橋式低通濾波輸
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使用模擬開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)信號(hào)復(fù)用

  • 　　要 點(diǎn) 　　模擬開(kāi)關(guān)的主要規(guī)格是電壓、導(dǎo)通電阻、電容、電荷注入、速度和封裝。 　　介質(zhì)絕緣工藝可防止一些開(kāi)關(guān)的閂鎖。 　　開(kāi)關(guān)的工作范圍從直流到 400 MHz ，甚至更高。 　　MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))開(kāi)關(guān)在高頻下運(yùn)行良好，但存在可靠性問(wèn)題，并且封裝費(fèi)用昂貴。 　　如果您是在仿真一個(gè)模擬開(kāi)關(guān)，要確保對(duì)全部寄生成分的建模。 　　沒(méi)有哪個(gè) IC 原理圖符號(hào)能比模擬開(kāi)關(guān)的符號(hào)更簡(jiǎn)單(圖 1a )。一個(gè)基本開(kāi)關(guān)僅包括輸入、輸出、控制腳和一對(duì)電源腳。然而，在這簡(jiǎn)單的外觀(圖 1b )后面，隱藏著極
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便攜式產(chǎn)品中模擬開(kāi)關(guān)選擇的要點(diǎn)

  • 　　在便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，一直以來(lái)，模擬開(kāi)關(guān)主要作為音頻信號(hào)切換器使用。后來(lái)，隨著雙卡雙模手機(jī)的普及，模擬開(kāi)關(guān)成了雙卡切換必備的選擇;最新的數(shù)字電視DVB、CMMB等在一定的條件下也需要使用模擬開(kāi)關(guān)。　　低導(dǎo)通電阻往往是模擬開(kāi)關(guān)在音頻切換時(shí)的主要選擇因素。值得注意的是，導(dǎo)通電阻是針對(duì)具體的VCC、VIN(電壓輸入)及給定負(fù)載電流而指定的。在晶體管級(jí)，RON為器件長(zhǎng)度(L)、器件寬度(W)、電子與空穴遷移率、氧化層電容、門限電壓及信號(hào)電壓的函數(shù)?！　ON會(huì)隨著供電電壓的增加而減小，圖1顯示了上海英聯(lián)的UM4
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模擬開(kāi)關(guān)介紹

模擬開(kāi)關(guān)就是開(kāi)關(guān)晶體管，它在控制信號(hào)下開(kāi)關(guān)，因?yàn)槠痖_(kāi)關(guān)作用，實(shí)際是晶體管所以稱模擬開(kāi)關(guān)。 早期的模擬開(kāi)關(guān)大多工作于±20V的電源電壓，導(dǎo)通電阻為幾百Ω，主要用于模擬信號(hào)與數(shù)字控制的接口，近幾年，集成模擬開(kāi)關(guān)的性能有了很大的提高，它們可工作在非常低的電源電壓，具有較低的導(dǎo)通電阻、微型封裝尺寸和極佳的開(kāi)關(guān)特性?？蓮V泛用于測(cè)試設(shè)備、通訊產(chǎn)品、PBX/PABX設(shè)備以及多媒體系統(tǒng)等。低導(dǎo)通電阻和低工作電 [ 查看詳細(xì) ]

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