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電力半導(dǎo)體模塊的發(fā)展過(guò)程及新趨勢(shì)

  • 　　摘要：簡(jiǎn)要敘述了電力半導(dǎo)體模塊的發(fā)展過(guò)程，介紹了晶閘管智能模塊的結(jié)構(gòu)和特性，描述了IGBT智能模塊的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)，指出了我國(guó)大力發(fā)展IPEM的必要性。 　　關(guān)鍵詞：電力半導(dǎo)體模塊;智能晶閘管模塊;IGBT模塊;IGBT智能模塊 　　一種新型器件的誕生往往使整個(gè)裝置系統(tǒng)面貌發(fā)生巨大改觀，促進(jìn)電力電子技術(shù)向前發(fā)展。自1957年第一個(gè)晶閘管問(wèn)世以來(lái)，經(jīng)過(guò)40多年的開發(fā)和研究，已推出可關(guān)斷晶閘管(GTO)，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等40多種電力半導(dǎo)體器件，目前正沿著高頻化、大功率化、智能化和模塊化的
  • 關(guān)鍵字： 電力半導(dǎo)體模塊  智能晶閘管模塊  IGBT模塊  半導(dǎo)體材料  
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智能晶閘管模塊介紹

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