晶體文章進(jìn)入晶體技術(shù)社區(qū)

技術(shù)知識(shí)：硅頻率控制器(SFC)-晶體替代市場(chǎng)的寵兒

　　美國(guó)的研究人員相信，他們已經(jīng)克服了發(fā)展硅半導(dǎo)體功能替代物的一個(gè)主要障礙。　　硅半導(dǎo)體在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中無處不在，但這些設(shè)備有局限性，其中包括在高溫下未能正常運(yùn)作。　　一個(gè)有前途的替代物是由鋁和氮形成氮化鋁(AlN)半導(dǎo)體，比他的硅對(duì)應(yīng)物更強(qiáng)更穩(wěn)定，可在高溫下運(yùn)行，壓電的，對(duì)可見光透明，可以發(fā)出可見光。　　生產(chǎn)AIN層的傳統(tǒng)工藝運(yùn)行溫度高達(dá)1150℃，并對(duì)層厚控制有限。這個(gè)新的技術(shù)聲稱提供了一種方法來生產(chǎn)原子尺寸厚度的高質(zhì)量的氮化鋁(AlN)層，僅用其他方法溫度的一半。　　
關(guān)鍵字：硅半導(dǎo)體晶體

對(duì)于一個(gè)高可靠性的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，晶體的選擇非常重要，尤其設(shè)計(jì)帶有睡眠喚醒(往往用低電壓以求低功耗)的系統(tǒng)。這 ...
關(guān)鍵字： PIC單片機(jī) 振蕩電路晶體

GT Advanced Technologies(納斯達(dá)克：GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長(zhǎng)技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。在其初步階段，SiClone100主要針對(duì)本身已經(jīng)擁有熱場(chǎng)、合格的晶體塊生產(chǎn)配方及正準(zhǔn)備開始量產(chǎn)的客戶。
關(guān)鍵字： GT SiC 晶體

　　隨著石油可開采量逐漸見底和生態(tài)環(huán)境日益惡化，人們?cè)絹碓狡笈翁?yáng)能發(fā)電時(shí)代的到來。　　太陽(yáng)能電池是一種利用光伏效應(yīng)將太陽(yáng)光能直接轉(zhuǎn)換為電能的電子器件。所謂光伏效應(yīng)(photovoltaiceffect)是指當(dāng)物體受到光照時(shí)，物體內(nèi)的電荷分布狀態(tài)發(fā)生變化而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)和電流的一種效應(yīng)。1839年法國(guó)物理學(xué)家貝克勒爾(Becquerel)首次在液體中發(fā)現(xiàn)了這種效應(yīng)，他觀察到浸入電解液中的兩電極間電壓隨光照強(qiáng)度發(fā)生變化的現(xiàn)象。1883年，科學(xué)家們又在半導(dǎo)體硒和金屬接觸界面發(fā)現(xiàn)了固體光伏效應(yīng)。在此后相當(dāng)長(zhǎng)的一
關(guān)鍵字：晶體硅電池

所謂選擇性發(fā)射極(SE-selectiveemiter)晶體硅太陽(yáng)電池，即在金屬柵線(電極)與硅片接觸部位進(jìn)行重?fù)诫s，在電極之間位置進(jìn)行輕摻雜。這樣的結(jié)構(gòu)可降低擴(kuò)散層復(fù)合，由此可提高光線的短波響應(yīng)，同時(shí)減少前金屬電極與硅的
關(guān)鍵字：實(shí)現(xiàn) 方法分析電池太陽(yáng) 發(fā)射晶體選擇性

摘要：光子晶體光纖傳感器的穩(wěn)定性在實(shí)際工程應(yīng)用中具有重要影響。文章分析了光子晶體光纖壓力傳感器的基本原理，介紹了光子晶體光纖壓力傳感器的系統(tǒng)組成，從理論上分析了傳感器系統(tǒng)相對(duì)于光源波長(zhǎng)變化、輸出信號(hào)
關(guān)鍵字：穩(wěn)定性研究傳感器壓力晶體光纖光子

早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加對(duì)入射光的吸收，但該方法均需先單獨(dú)采用熱氧化方法生長(zhǎng)一層10～20umSiO2使硅片表面非晶化、且對(duì)多晶效果不理想。SixNy膜層不僅減緩漿料中玻璃體對(duì)硅的腐蝕抑制Ag的擴(kuò)散速度從而
關(guān)鍵字：技術(shù) 鈍化表面晶體高效電池

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：室溫微波激射器晶體

　　繼日前與臺(tái)積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國(guó)際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)展新一代Mali繪圖處理器(GPU)核心。
關(guān)鍵字： ARM 制程晶體

絕大多數(shù)的MCU愛好者對(duì)MCU晶體兩邊要接一個(gè)22pF附近的電容不理解，因?yàn)檫@個(gè)電容有些時(shí)候是可以不要的。參考很多書籍，講解的很少，往往提到最多的是起穩(wěn)定作用，負(fù)載電容之類的話，都不是很深入理論的分析。問題是很
關(guān)鍵字：振蕩電路分析作用電容晶體旁邊 MCU

:PESC、PERC、PERL電池是新南威爾士大學(xué)研究了近20年的先進(jìn)電池系列，前兩個(gè)子母PE(Passivated Emitter)代表前表面的鈍化(選擇性擴(kuò)散)，后兩個(gè)子母代表后表面的擴(kuò)散和接觸情況。其中PERL衍生了南京中電的SE電池與尚德
關(guān)鍵字： -PERL 電池太陽(yáng)能電池晶體高效電源

晶體的主要組成部分是二氧化硅，俗稱石英。石英具有非凡的機(jī)械和壓電特性，使得從19世紀(jì)40年代中期以來一直作為基本的時(shí)鐘器件。如今，只要需要時(shí)鐘的地方，工程師首先想到的就是晶體，但是隨著應(yīng)用的不斷深入，晶體
關(guān)鍵字： SFC 詳解硅頻率控制器晶體

智能手機(jī)對(duì)于觸控的響應(yīng)速度是由各種顯示組件之間電荷的流通速率決定的。倫敦帝國(guó)理工學(xué)院(Imperial College London，簡(jiǎn)稱 ICL)的科學(xué)家們與阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)(King Abdullah University of Science and Technology，簡(jiǎn)稱 KAUST)的同仁們將合作制造有機(jī)薄膜晶體管 (OTFT)，這些有機(jī)薄膜晶體管通過融合兩種有機(jī)半導(dǎo)體的細(xì)致溶液處理方法不斷取得創(chuàng)紀(jì)錄的載流子遷移率。這些有機(jī)薄膜晶體管及其處理方法提供了一系列未來的電子應(yīng)用。
關(guān)鍵字：晶體電子元件