圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因此
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緩沖 方法 進(jìn)行 電壓 FET 關(guān)斷 轉(zhuǎn)換器
本文詳細(xì)介紹了如何在典型工業(yè)用24V電源環(huán)境下，借助WEBENCH Power Architect 中的新的電源模塊來設(shè)計高效的多輸出電源。該工業(yè)用24V電源在第一階段中將電源轉(zhuǎn)換為中間電壓軌，最后轉(zhuǎn)換為典型負(fù)載點電壓和負(fù)載點電流
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方法 簡介 設(shè)計 電源 高效 輸出 工業(yè)
iSCSI SAN系統(tǒng)保護(hù)的五種解決方法,如何才能將網(wǎng)絡(luò)黑客阻擋在iSCSI SAN系統(tǒng)的大門之外?本文中將會推薦5種解決辦法。提醒讀者注意的是，這些辦法雖然都能起到維護(hù)IP SAN系統(tǒng)安全的作用，但各自都存在一定的優(yōu)缺點。建議用戶在實施時仔細(xì)斟酌，只要使用得
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解決 方法 保護(hù) 系統(tǒng) SAN iSCSI
多核處理器架構(gòu)及調(diào)試方法介紹,認(rèn)識多核基本架構(gòu) 多核處理器在同一個芯片中植入了多個處理器引擎，這就可以提供更高的CPU性能、功能特性和分區(qū)能力。一般說來，多核有兩種實現(xiàn)形式?！ 〉谝?，SMP( Symmetric multiprocessing，對稱多處理)。在
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介紹 方法 調(diào)試 架構(gòu) 處理器
選擇ESD保護(hù)元件的方法,本文將分析系統(tǒng)設(shè)計師可以采用的一些保護(hù)產(chǎn)品類型，并比較它們的特性。為了確保系統(tǒng)在遭受ESD事件時的魯棒性，必須按照IEC 61000-4-2等標(biāo)準(zhǔn)來測試這些產(chǎn)品。系統(tǒng)設(shè)計師采用多種方法來確保產(chǎn)品符合主流的ESD標(biāo)準(zhǔn)，包括
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方法 元件 保護(hù) ESD 選擇
要點 - 儀器與控制器通信以及彼此間通信的能力可追溯到上世紀(jì)60年代末，當(dāng)時HP公司發(fā)明了HP接口總線(HP-IB)，被制定為IEEE-488標(biāo)準(zhǔn)，并起了一個名字——通用接口總線(GPIB)?！ ? PXI標(biāo)準(zhǔn)和LXI標(biāo)準(zhǔn)正在
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自動化 方法 測試 通信 LXI 實現(xiàn) PXI
開關(guān)電流技術(shù)是一種新的模擬信號采樣、保持、處理技術(shù)。它具有電流模電路的特有優(yōu)點，如速度快，適合于低電壓工作等。與傳統(tǒng)的開關(guān)電容技術(shù)相比，開關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能的運算放大器，整個電路由晶體
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誤差 方法 主要 電路 開關(guān) 電流 改善
UPS電源的測試一般包括穩(wěn)態(tài)測試和動態(tài)測試兩類。穩(wěn)態(tài)測試是在空載、50%額定負(fù)載以及100%額定負(fù)載條件下，測試輸入、輸出端的各相電壓、線電壓、空載損耗、功率因數(shù)、效率、輸出電壓波形、失真度及輸出電壓的頻率等。
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測試 方法 動態(tài) 穩(wěn)態(tài) 電源 UPS
LED是一種高效環(huán)保的新型半導(dǎo)體光源，有其它光源無法比擬的優(yōu)勢。在未來汽車照明應(yīng)用中前景光明。LED 可以用串聯(lián)、并聯(lián)等不同的方式組合成LED 陣列，以滿足汽車照明強度的要求。針對LED 的發(fā)光特性，重點討論了LED 驅(qū)
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LED 汽車 電子設(shè)計 方法
USB用于測試與測量應(yīng)用的優(yōu)勢很多，但是在選擇USB數(shù)據(jù)采集模塊之前，仔細(xì)考慮目標(biāo)應(yīng)用。如果瞬時電壓或地電位差存在，通過選擇帶隔離措施的USB數(shù)據(jù)采集模塊可保護(hù)PC并保持信號數(shù)據(jù)的完整性。本文詳細(xì)分析了使用USB數(shù)
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USB 數(shù)據(jù)采集模塊 方法
Ｄallas公司的iButton產(chǎn)品是一系列１－wire總線新型器件。ＤＳ１９９１是一種加密存儲器型信息紐扣，封裝于直徑為１６mm的不銹鋼外殼中，體積小巧，便于攜帶、保存，防塵、防腐蝕，可以在惡劣的應(yīng)用環(huán)境中實現(xiàn)帶密碼
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讀寫 方法 分析 存儲器 密碼保護(hù) 簡介 及其 DS1991
摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲。本文對該類型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對實際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。引
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方法 介紹 擴(kuò)展 存儲器 大容量 Flash C8051F
1 前言 在生產(chǎn)中，有時會碰到某些客戶，要求部分孔塞孔，但又不能完全塞飽滿，塞孔的背面阻焊開窗，且有深度要求，通俗稱為“半塞孔”。據(jù)了解此類客戶是要在這些孔做測試，會把測試探針打入孔內(nèi)。如果
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pcb 半塞孔 方法
1：進(jìn)到protel打開原理圖之后，選擇design－create netlist，然后在彈出的對話框里選PADS ASCII，然后其余選項默認(rèn)就可以了，然后選確定。這時會有兩個網(wǎng)表，一個叫***.par（也好像叫什么***.pat，其實叫什么無所謂的
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powerPCB Protel 方法
在電感測試夾具中，預(yù)期的特征衰減時間TUR與測試裝置的開路上升時間T開路的比不是很大：這個低的比值意味著初始的階躍上升完成之前，測試波形已經(jīng)開始衰減。測量出的輸出波形不是簡單的指數(shù)形式，面是更復(fù)形。仔細(xì)觀
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衰減時間 方法
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