抗短路穩(wěn)健性 文章 進入抗短路穩(wěn)健性技術社區(qū)
Transphorm氮化鎵器件率先達到對電機驅動應用至關重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑
- 新世代電力系統的未來,氮化鎵(GaN)功率半導體產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.近日宣布,利用該公司的一項專利技術,在氮化鎵功率晶體管上實現了長達5微秒的短路耐受時間(SCWT)。這是同類產品有記錄以來首次達到的成就,也是整個行業(yè)的一個重要里程碑,證明?Transphorm 的氮化鎵器件能夠滿足伺服電機、工業(yè)電機和汽車動力傳動系統等傳統上由硅?IGBT 或碳化硅(SiC)MOSFET 提供支持的堅固型功率逆變器所需的抗短路能力 --- 氮化鎵在這類應用領域未來五年的
- 關鍵字: Transphorm 氮化鎵器件 電機驅動 抗短路穩(wěn)健性
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抗短路穩(wěn)健性介紹
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