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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 恒憶

恒憶Omneo系列相變存儲器耐寫次數(shù)高達(dá)100萬次

  • 　　近日，恒憶(Numonyx)作為相變存儲技術(shù)(PCM)的創(chuàng)新者，宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計簡易性，適用于固線和無線通信設(shè)備、消費電子、PC和其他嵌入式應(yīng)用設(shè)備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并向市場供貨。 　　這種新的嵌入式存儲器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優(yōu)點于一身，一顆存儲器芯片即可實現(xiàn)很多新功能。新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx Omneo PCM，其寫入速度有望達(dá)到現(xiàn)有閃存的300倍，耐寫次
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非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制

  • 　　非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲器的隨機(jī)訪存速度更快。 　　經(jīng)過研究人員對浮柵存儲技術(shù)的堅持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們越來越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級到更小技術(shù)節(jié)點的新式存儲器機(jī)制和材料。 　　目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機(jī)制，相變存儲器(PC
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立足嵌入式應(yīng)用 恒憶尋求高利潤增長點

  • 　　走在下行周期上的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)碰上了30年代“大蕭條”后全球最慘烈的經(jīng)濟(jì)危機(jī)，猶如雪上加霜。而作為整個行業(yè)晴雨表的存儲器更是早在去年就表現(xiàn)出了極大的疲軟態(tài)勢。英特爾和意法半導(dǎo)體剝離閃存事業(yè)部后，聯(lián)合成立的閃存公司恒憶（Numonyx）卻在今年4月掛牌營運(yùn)，在這樣一個人人自危的時候，作為全球最大的閃存公司，恒憶是如何看待閃存市場前景的？ 恒憶（亞洲）副總裁兼總經(jīng)理 Rolf-Peter Seibl 　　“存儲器市場的確在一些細(xì)分市場除了先樂周期性衰退，但是我們相信
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恒憶推出新系列NAND閃存

  • 　　恒憶公司（Numonyx）針對無線通信、嵌入式設(shè)計和數(shù)據(jù)存儲市場推出新系列NAND閃存產(chǎn)品。新系列產(chǎn)品包括32Gb（gigabits）的多級單元 (MLC) NAND閃存、32GB（gigabytes）的eMMC存儲芯片和高達(dá)8 GB的 microSD產(chǎn)品，全部采用先進(jìn)的41nm制造工藝。對于手機(jī)、便攜導(dǎo)航儀等消費電子產(chǎn)品廠商，這些新產(chǎn)品將是一系列易于設(shè)計的存儲器解決方案；對于消費者，新產(chǎn)品將提供更大的存儲空間，他們可以在設(shè)備上保存相片、視頻和音樂，使用流行的多媒體應(yīng)用程序。 　　從機(jī)頂盒到手機(jī)，凡
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恒憶與海力士擴(kuò)大合作 共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術(shù)與產(chǎn)品

  • 　　恒憶（Numonyx）今天宣布與海力士半導(dǎo)體公司達(dá)成為期五年的協(xié)議，在飛速增長的NAND閃存領(lǐng)域擴(kuò)展聯(lián)合開發(fā)計劃。針對NAND技術(shù)在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家公司將擴(kuò)大NAND產(chǎn)品線并共同研發(fā)未來產(chǎn)品，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新。 　　根據(jù)新協(xié)議，恒憶和海力士將擴(kuò)大聯(lián)合開發(fā)的范圍，共同提供領(lǐng)先的NAND存儲器技術(shù)和產(chǎn)品，并且整合資源以加快未來NAND技術(shù)及解決方案的開發(fā)。在應(yīng)用于手機(jī)多芯片封裝的移動DRAM領(lǐng)域，雙方也將進(jìn)行合作。 　　恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison表示："未來五年，在
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恒憶推出低價低功耗DDR接口非揮發(fā)性RAM產(chǎn)品

  • 　　恒憶 (Numonyx) 今日宣布推出 Velocity LPTM NV-RAM 產(chǎn)品系列，此系列是業(yè)界最快速的低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率 (LPDDR) 非揮發(fā)性存儲器，不但可以給手機(jī)和消費性電子產(chǎn)品廠商提供更高的存儲性能，而且比目前其他解決方案價格更低。這些裝置在提供高動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）內(nèi)容平臺低成本解決方案的同時，還可達(dá)到比傳統(tǒng)NOR Flash存儲器快兩到三倍讀取頻寬的性能。恒憶 Velocity LP NV-RAM 系列的推出為該公司未來相變存儲器 (PCM) 產(chǎn)品提供了無縫的絕佳架構(gòu)途
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恒憶介紹

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