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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 急聚點

基于MOSFET設(shè)計優(yōu)化的功率驅(qū)動電路

  • 摘要：在分析了功率MOSFET其結(jié)構(gòu)特性的基礎(chǔ)上，討論驅(qū)動電路的設(shè)計，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能，提高設(shè)計的可靠性。
    關(guān)鍵詞：MOSFET；急聚點；損耗

    功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點，因此在開關(guān)
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  急聚點  損耗  
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急聚點介紹

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