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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 快閃記憶體

臺(tái)積電0.25微米車用嵌入式快閃記憶體出貨已達(dá)60萬片八吋晶圓

  • 　　TSMC今(21)日宣布該公司符合汽車電子AEC-Q100第一級(jí)(AEC-Q100 grade1)高規(guī)格要求之0.25微米嵌入式快閃記憶體工藝，累積出貨量已達(dá)到60萬片八吋晶圓，為客戶產(chǎn)出各種不同汽車電子應(yīng)用之集成電路產(chǎn)品，相當(dāng)于微控制器(MCU)的出貨量已超過7億2千萬個(gè)。在2009年，部分客戶產(chǎn)品的實(shí)際行車故障率(field failure rate)已達(dá)到低于千萬分之一(<0.1ppm)的極高水準(zhǔn)。 　　考慮每個(gè)產(chǎn)品在測(cè)試篩選過程中，其資料寫入及消除(endurance cycles)及
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旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃記憶體

  • 　　日前，序列式快閃記憶體(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司旺宏電子(TSE:2337)宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃記憶體產(chǎn)品─MX25L25635E。 　　旺宏電子創(chuàng)新的32位元定址技術(shù)，利用簡單的切換，即可讓原有的記憶體容量提高至256Mbit，并且還提供了能相容于既有24位元定址的模式，使得系統(tǒng)工程師及制造商易于提高原有產(chǎn)品的功能及效能。 　　據(jù)了解，旺宏電子256Mbit序列快閃記憶體產(chǎn)品的主要應(yīng)用市場(chǎng)，是在需大量程式碼及資料存儲(chǔ)方面，如高階網(wǎng)通、WiMAX、服務(wù)器
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Hynix新NAND快閃記憶體制造廠在清州投產(chǎn)

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix周四表示，其在韓國建成的新NAND快閃記憶體制造工廠正式投產(chǎn)。 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，Hynix表示，該新廠位于清州，月產(chǎn)量可達(dá)到30萬件，并有望于在數(shù)月后提高到50萬件。 　　Hynix在清州還建有另外兩個(gè)芯片制造廠，目前正在運(yùn)作當(dāng)中。 　　Hynix的首席執(zhí)行官Kim Jong-gap表示，公司計(jì)劃加強(qiáng)產(chǎn)品在價(jià)格方面的競爭力，并在接下來的研發(fā)道路中保持高水準(zhǔn)的投資。
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磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器將挑戰(zhàn)閃存

  • 　　磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）將優(yōu)于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導(dǎo)體正試圖證明這一點(diǎn)。 　　根據(jù)消息，飛思卡爾半導(dǎo)體（前摩托羅拉公司芯片部門）周一宣布，它已經(jīng)獲得了幾個(gè)風(fēng)險(xiǎn)投資公司的加入。據(jù)悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨(dú)立技術(shù)公司，側(cè)重于研發(fā)制造MRAM（磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器），其目的是為了“擴(kuò)大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)份額”。 　　MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結(jié)合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
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快閃記憶體介紹

快閃記憶體 百科名片 快閃記憶體的英文名稱是"Flash Memory"，一般簡稱為"Flash"，它屬于內(nèi)存器件的一種。 目錄 二、閃存的物理特性與常見的內(nèi)存的差異 三、性能比較 四、接口差別 五、容量和成本 六、可靠性和耐用性 七、壽命(耐用性) 八、位交換 九、壞塊處理 十、易于使用 十一、軟件支持 十二、其他作用二、閃存的物理特性與常見的內(nèi)存的差異 三、性能比較 [ 查看詳細(xì) ]

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