開(kāi)關(guān)電路文章進(jìn)入開(kāi)關(guān)電路技術(shù)社區(qū)

多點(diǎn)控制走廊觸摸延時(shí)開(kāi)關(guān)電路設(shè)

當(dāng)今社會(huì)人們更加注重節(jié)能環(huán)保，照明這一領(lǐng)域也發(fā)生了很大的變化，從傳統(tǒng)的白熾燈具向LED照明燈發(fā)展，照明開(kāi)關(guān)...
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全世界的城鎮(zhèn)都在考慮和裝設(shè)LED街燈，以幫助節(jié)省電能，降低成本，保護(hù)環(huán)境，以及改善公民的照明條件。雖然有這種趨...
關(guān)鍵字：燈光開(kāi)關(guān)電路比較器

三極管開(kāi)關(guān)電路作為功率管的控制應(yīng)用廣泛。這里對(duì)一個(gè)實(shí)用開(kāi)關(guān)電路中的各元器件作用作具體分析。三極...
關(guān)鍵字：三極管開(kāi)關(guān)電路

引言三極管除了可以當(dāng)做交流信號(hào)放大器之外，也可以做為開(kāi)關(guān)之用。嚴(yán)格說(shuō)起來(lái)，三極管與一般的機(jī)械接...
關(guān)鍵字：三極管開(kāi)關(guān)電路交流信號(hào) 放大器

MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單，如釁5.4-100所示短路開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
關(guān)鍵字： MOS-FET 開(kāi)關(guān)電路

1、簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān)控制電路圖5.4-97為簡(jiǎn)單J-FET開(kāi)關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí)，VGS=0，J-FET導(dǎo)通，傳輸信號(hào)至VO；當(dāng)VC比V1足夠負(fù)，VD導(dǎo)通而J-FET截止，VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開(kāi)關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
關(guān)鍵字： J-FET 開(kāi)關(guān)電路工作原理

電路的功能同步檢波電路用來(lái)檢測(cè)被噪聲淹沒(méi)的信號(hào)，它是鎖相放大器最重要的電路單元，有許多實(shí)用方式。本電路屬于同步檢波的基本方式，用開(kāi)關(guān)電路檢測(cè)相位差，輸出電壓EO=EXCOSφ，即可以獲得信號(hào)的振幅和相位φ。如
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電路半波電路同步檢波

　　美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation)宣布該公司的PowerWise®高能效芯片系列添加兩款低功率低電壓差分信號(hào)傳輸(LVDS)2x2交叉點(diǎn)開(kāi)關(guān)電路。型號(hào)為DS25CP102的交叉點(diǎn)開(kāi)關(guān)電路通道的功耗只有125mW，以高達(dá)3.125Gbps的速度傳送數(shù)據(jù)時(shí)，抖動(dòng)只有6ps(典型值)，創(chuàng)下業(yè)界最低的水平。這款芯片設(shè)有傳送預(yù)加重及接收均衡這兩個(gè)功能選項(xiàng)，確保電纜及FR-4 底板內(nèi)的信號(hào)可以傳送到更遠(yuǎn)的范圍。型號(hào)為DS10CP15
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電路 DS25CP102 電源