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瑞薩發(fā)布第二代 “集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET（DrMOS）”

瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET（DrMOS）” 實(shí)現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應(yīng)用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當(dāng)前的產(chǎn)品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過(guò)20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC和兩個(gè)高端/低端（注1）功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務(wù)器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開(kāi)始。 R
關(guān)鍵字：單片機(jī) 第二代集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET（DrMOS）嵌入式系統(tǒng) 瑞薩科技

卷積交織和解交織原理簡(jiǎn)介在DVB-C系統(tǒng)當(dāng)中，實(shí)際信道中的突發(fā)錯(cuò)誤往往是由脈沖干擾、多徑衰落引起的，在統(tǒng)計(jì)上是相關(guān)的，所以一旦出現(xiàn)不能糾正的錯(cuò)誤時(shí)，這種錯(cuò)誤將連續(xù)存在。因此在DVB-C系統(tǒng)里，采用了卷積交織來(lái)解決這種問(wèn)題。它以一定規(guī)律擾亂源符號(hào)數(shù)據(jù)的時(shí)間順序，使其相關(guān)性減弱，然后將其送入信道，解交織器按相反規(guī)律恢復(fù)出源符號(hào)數(shù)據(jù)。 DVB-C的卷積交織和解交織原理為：交織由I=12(I為交織深度)個(gè)分支構(gòu)成。每個(gè)分支的延時(shí)逐漸遞增，遞增的單元數(shù)M=n/I=204/12=17(M為交織基數(shù))。這里的
關(guān)鍵字： DVB-C FPGA 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng)

　　業(yè)內(nèi)期盼許久的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新政有望今年出臺(tái)。昨天，記者從信息產(chǎn)業(yè)部獲悉，第五版征求意見(jiàn)稿目前已經(jīng)形成。　　信產(chǎn)部產(chǎn)品司副司長(zhǎng)陳英表示，這則《軟件與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展條例》已多次征求業(yè)內(nèi)專家和地方相關(guān)部門的意見(jiàn)，目前形成了《條例》的第五版征求意見(jiàn)稿。下一階段，將在繼續(xù)征求業(yè)內(nèi)意見(jiàn)的基礎(chǔ)上進(jìn)一步修改完善，形成《條例》送審稿，最后上報(bào)國(guó)務(wù)院法制辦，從而進(jìn)入最后的立法程序。　　相關(guān)人士透露，最近信產(chǎn)部對(duì)這項(xiàng)政策的推進(jìn)速度非?？?，今年出臺(tái)的可能性非常大。據(jù)悉，《條例》主要包含十二個(gè)部分的
關(guān)鍵字： 18號(hào)文半導(dǎo)體單片機(jī) 美嵌入式系統(tǒng) 施壓通訊網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線中國(guó)

轉(zhuǎn)接框可以采用常規(guī)方法，使用預(yù)裝配的螺母來(lái)固定，或者使用壓入方式，壓入到連接器上。而且，轉(zhuǎn)接框的10 種不同高度，無(wú)須附加墊圈，也就無(wú)須加大公連接器的插拔面，也無(wú)須保護(hù)插拔條件。因此，它們可用于帶13, 17 和 20
關(guān)鍵字： 41612 DIN HARTING 單片機(jī) 連接器嵌入式系統(tǒng) 轉(zhuǎn)接框連接器

AMI Semiconductor宣布，采用新的模擬陣列法已使其生產(chǎn)能力得到進(jìn)一步提升。這種方法是將經(jīng)驗(yàn)證的電路模塊與定制互聯(lián)層相結(jié)合，從而在很短的研制周期內(nèi)以低NRE生產(chǎn)出完善的ASIC，集模擬和數(shù)字電路于一體。模擬陣列為工業(yè)、醫(yī)療和消費(fèi)者市場(chǎng)上的應(yīng)用提供靈活、快速的上市時(shí)間解決方案。應(yīng)用實(shí)例包括安全感
關(guān)鍵字： AMIS 單片機(jī) 電路模塊模擬陣列嵌入式系統(tǒng) 模塊