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日立與瑞薩開發(fā)1.5V相變存儲模塊
- 日立有限公司與瑞薩科技(Renesas)宣布,為了滿足新一代高密度片上非易失性存儲技術(shù)的需求,雙方共同開發(fā)出了運(yùn)行于1.5V電源電壓的512KB(相當(dāng)于4Mb)相變存儲模塊,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)416KB/s的寫入速度和20ns的讀取時間。利用以前開發(fā)的100μA(Micro[注1]安培)寫入操作電流的“低功耗相變存儲單元”,兩家公司在新模塊中開發(fā)了一種可以實現(xiàn)高速讀寫操作的外設(shè)電路技術(shù)。 日立和瑞薩以前開發(fā)過一種低功耗操作相變存儲器,它在界面層使用了
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