德州儀器公司 (TI) 已在標準 CMOS 邏輯工藝中生產出64兆位鐵電存儲器 (FRAM) 芯片,從而將該技術在各種應用領域中確定為嵌入式閃存及嵌入式 DRAM 的經濟高效型替代技術。與處理器、外設及其它器件一樣,在同一芯片上嵌入內存不僅會降低系統(tǒng)芯片數目及復雜性,而且還能夠提高系統(tǒng)性能與數據的安全性。為了降低制造成本、實現超低功耗,TI 在眾多的嵌入式內存中選擇了 FRAM。TI 生產的64兆位 FRAM 器件還擁有迄今為止業(yè)界最小的 FRAM 單元,僅為 0.54um2。 FRAM 所具有的