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子單元長(zhǎng)期存放對(duì)焊接質(zhì)量的影響*

  • 長(zhǎng)期進(jìn)行IGBT器件焊接封裝發(fā)現(xiàn)，IGBT器件封裝所用關(guān)鍵部件子單元的存放時(shí)間長(zhǎng)短對(duì)焊接空洞影響較大，本文分別對(duì)兩批存放時(shí)間差別較大的子單元進(jìn)行封裝，通過實(shí)驗(yàn)對(duì)比兩批產(chǎn)品的空洞率，結(jié)果表明存放時(shí)間較短的子單元焊接的IGBT器件空洞率明顯偏小，從而提高了IGBT器件的可靠性。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  焊接  封裝  空洞率  子單元  202201  
共1條 1/1 1

子單元介紹

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