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失誤 文章 最新資訊

三星在 NVIDIA的12-Hi HBM3E驗(yàn)證中再次失誤，重新測(cè)試定于9月進(jìn)行

  • 隨著美光（爭(zhēng)奪 NVIDIA HBM 訂單的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手）宣布已交付其第一批 12 層 HBM4 樣品，據(jù)報(bào)道，三星在 6 月份第三次嘗試通過(guò) NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗(yàn)證時(shí)跌跌撞撞。據(jù)《商業(yè)郵報(bào)》援引證券分析師的話稱(chēng)，該公司現(xiàn)在的目標(biāo)是在 9 月進(jìn)行重新測(cè)試。盡管 Deal Site 此前表示，三星的 12 層 HBM3E 已在 5 月通過(guò)了 NVIDIA 的裸片認(rèn)證，但該產(chǎn)品仍需要進(jìn)行全封裝驗(yàn)證。另一方面，SR Times 表示，三星自去年下半年以來(lái)一直在提
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直流電定義是電工學(xué)理論的重大失誤

  • 1 引言在任何使用晶體管的電路中都需要直流電供電，所以世界范圍內(nèi)直流耗電量在不斷上升。各種性能直流電壓源產(chǎn)品在各領(lǐng)域迅速普及?？墒怯秒娔軈?shù)儀表測(cè)量直流電源工作的電量參數(shù)時(shí)，發(fā)現(xiàn)有諸多難以解釋不符合電工
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