大電流文章進(jìn)入大電流技術(shù)社區(qū)

支持最高1500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)，納芯微NSUC1602輕松應(yīng)對(duì)大電流挑戰(zhàn)

新能源汽車市場(chǎng)正步入一個(gè)群雄逐鹿、競(jìng)爭(zhēng)白熱化的格局重塑階段，系統(tǒng)性能的些許提升和技術(shù)創(chuàng)新上的差異化都將成為企業(yè)增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵所在。在此背景下，熱管理系統(tǒng)的高效化與智能化發(fā)展無(wú)疑成為了推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步的重要一環(huán)。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的汽車芯片供應(yīng)商，納芯微繼2023年初國(guó)內(nèi)首發(fā)車用小電機(jī)驅(qū)動(dòng)SoC NSUC1610后，今日正式宣布推出高集成度嵌入式電機(jī)控制IC NSUC1602。與集成了LIN和MOS功率級(jí)的單芯片NSUC1610相比，NSUC1602集成式SoC支持外置獨(dú)立功率MOSFET的設(shè)計(jì)，這一創(chuàng)新方案能夠輕
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低導(dǎo)通電阻SiC器件在大電流高功率應(yīng)用中的優(yōu)越性

眾所周知，SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料，因其高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、寬禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應(yīng)用中使用，可有效突破傳統(tǒng)Si基半導(dǎo)體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開(kāi)關(guān)器件是SiC MOSFET，與傳統(tǒng)Si IGBT相比，SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)可以在大功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高頻、高效、高能量密度、低成本的目標(biāo)，從而推動(dòng)電力電子系統(tǒng)的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應(yīng)用范圍示意圖1圖2: 典型應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)應(yīng)的功率等級(jí)2從技術(shù)上講，
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Bourns 推出大電流屏蔽功率電感器展現(xiàn)尖端金屬合金粉末磁芯工藝優(yōu)勢(shì)

美國(guó)柏恩 Bourns 全球知名電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，推出全新大電流屏蔽功率電感器。此五款系列采用 Bourns 先進(jìn)的金屬粉末磁芯和制造工藝設(shè)計(jì)，以及磁屏蔽結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)，以實(shí)現(xiàn)低輻射、高飽和電流、高溫升或有效電流和低 DC 電阻。此五款全新功率電感器型號(hào)分別為 SRP2010TMA、SRP2012TMA、SRP2510TMA、SRP2512TMA 和 SRP3212A，采用微型、0.8 x1 mm 小尺寸設(shè)計(jì)，均符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)。Bourns 全新大電流屏蔽功率電感器系列采用高溫分級(jí)材料制成
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大功率液冷充電槍的發(fā)展現(xiàn)狀

文章從實(shí)際出發(fā)闡述了我國(guó)加快發(fā)展大功率液冷充電槍研制的必要性、大功率充電的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)闡述國(guó)內(nèi)外大功率液冷充電槍發(fā)展?fàn)顩r，以及國(guó)內(nèi)一些廠家在這方面做出的努力和研發(fā)現(xiàn)狀。
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云計(jì)算對(duì)電源模塊帶來(lái)哪些挑戰(zhàn)？MPS大電流、多路輸出模塊來(lái)助力

1 云計(jì)算與AI對(duì)硬件加速的需求越來(lái)越大過(guò)去幾年，大數(shù)據(jù)與人工智能（AI）高速發(fā)展，涌現(xiàn)了大量應(yīng)用，諸如機(jī)器學(xué)習(xí)，圖片識(shí)別，信號(hào)處理，仿真引擎等。這對(duì)數(shù)據(jù)中心以及云計(jì)算相關(guān)的基礎(chǔ)架構(gòu)提出了更高的要求，傳統(tǒng)的基于CPU的軟件處理和加速已無(wú)法滿足需求。傳統(tǒng)的CPU架構(gòu)是串行的處理架構(gòu)，限制了高帶寬、大數(shù)據(jù)量的處理需求。為此出現(xiàn)了基于GPU、FPGA、ASIC等加速芯片的加速硬件，它們能并行處理數(shù)據(jù)，極大地提升了效率。例如對(duì)于相對(duì)簡(jiǎn)單的數(shù)據(jù)計(jì)算，例如矩陣類的數(shù)據(jù)計(jì)算，加速芯片可以提供不少于20倍的加速能力。&n
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Vishay推出的新款小型商用電感器工作溫度可達(dá)+155 ℃

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款公司迄今體積最小的新型商用IHLP?超薄、大電流電感器--- IHLP-1212AZ-51、IHLP-1212AB-51和IHLP?1212BZ-51。Vishay Dale IHLP-1212AZ-51、IHLP-1212AB-51和IHLP?1212BZ-51采用3.3 mm x 3.3?mm 1212外形尺寸，工作溫度達(dá)+155 °C，節(jié)省計(jì)算機(jī)和電信系統(tǒng)應(yīng)用空間，高度僅為1.0 mm。日前發(fā)布的器件用于DC/DC
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交錯(cuò)并聯(lián)低壓大電流DC/DC變換器原理圖

倍流整流低壓大電流DC-DC變換器具有很好的性能，在此基礎(chǔ)上引入交錯(cuò)并聯(lián)技術(shù)，構(gòu)成一種新的結(jié)構(gòu)，稱為并聯(lián)低壓大電流DC-DC變換器，可以進(jìn)一步減小輸出電流紋波。圖為交錯(cuò)并聯(lián)低壓大電流DC-DC變換器的電路原理圖(以最簡(jiǎn)...
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MIC5158組成的輸出大電流的線性穩(wěn)壓器電路

MIC5158組成的輸出大電流的線性穩(wěn)壓器電路
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大電流輸出穩(wěn)壓電路

圖大電流輸出穩(wěn)壓電路圖11是大電流輸出的穩(wěn)壓源實(shí)例。該電路不僅有擴(kuò)展輸出電流的功能，同時(shí)對(duì)外接擴(kuò)流晶體管V1提供過(guò)流保護(hù)，當(dāng)有過(guò)電流發(fā)生時(shí)，RS上的電壓降增大，使晶體管V2導(dǎo)通，由于V2與電阻R并聯(lián)，使晶體管V1的基極與發(fā)...
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大電流輸出電路

大電流輸出電路可采用圖中的電路，外接晶體管VT1擴(kuò)流，輸出電壓由R4和R5確定，LT1111的輔助運(yùn)放可用做電池低電壓檢測(cè)器。
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高壓大電流脈沖振蕩器電路

高壓大電流脈沖振蕩器電路
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技術(shù)分享：一款低壓大電流開(kāi)關(guān)電源的電路設(shè)計(jì)

引言為了以更低的功耗獲得更高的速度和更佳的性能，要求電源電壓越來(lái)越低，瞬態(tài)性能指標(biāo)越來(lái)越高，因此對(duì)開(kāi)關(guān)電源...
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工程師教你有效設(shè)計(jì)高效率大電流直流穩(wěn)壓電源

許多電子發(fā)燒友們?cè)贒IY時(shí)，常常需要一個(gè)能輸出大電流、性能優(yōu)良的直流穩(wěn)壓電源，并且希望這個(gè)直流穩(wěn)壓電源還能...
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在4–20mA電流環(huán)中如何使用高壓、大電流驅(qū)動(dòng)運(yùn)算放大器

在4–20mA電流環(huán)中如何使用高壓、大電流驅(qū)動(dòng)運(yùn)算放大器本文討論在過(guò)程控制工業(yè)應(yīng)用中如何利用高壓、大電流 ...
關(guān)鍵字：電流環(huán) 高壓大電流驅(qū)動(dòng) 運(yùn)算放大器

IR推出第三代大電流SupIRBuck負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器IR3847

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR）今天宣布推出IR3847 ...
關(guān)鍵字： IR 大電流 SupIRBuck 負(fù)載點(diǎn) 穩(wěn)壓器 IR3847