大功率 文章 進(jìn)入大功率技術(shù)社區(qū)
現(xiàn)代電源技術(shù)發(fā)展歷程(上)
- 現(xiàn)代電源技術(shù)是應(yīng)用電力電子半導(dǎo)體器件,綜合自動控制、計算機(jī)(微處理器)技術(shù)和電磁技術(shù)的多學(xué)科邊緣交又技術(shù)。在各種高質(zhì)量、高效、高可靠性的電源中起關(guān)鍵作用,是現(xiàn)代電力電子技術(shù)的具體應(yīng)用。 當(dāng)前,電力電子作為節(jié)能、節(jié)才、自動化、智能化、機(jī)電一體化的基礎(chǔ),正朝著應(yīng)用技術(shù)高頻化、硬件結(jié)構(gòu)模塊化、產(chǎn)品性能綠色化的方向發(fā)展。在不遠(yuǎn)的將來,電力電子技術(shù)將使電源技術(shù)更加成熟、經(jīng) 濟(jì)、實用,實現(xiàn)高效率和高品質(zhì)用電相結(jié)合。 1. 電力電子技術(shù)的發(fā)展 現(xiàn)代電力電子技術(shù)的發(fā)展方向,是從以低頻技術(shù)處理問題為主的
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 大功率 高壓直流 模擬IC 電源
利用TL431作大功率可調(diào)穩(wěn)壓電源
- 精密電壓基準(zhǔn)IC TL431是T0—92封裝如圖1所示。其性能是輸出壓連續(xù)可調(diào)達(dá)36V,工作電流范圍寬達(dá)0.1。100mA,動態(tài)電阻典型值為0.22歐,輸出雜波低。圖2是TL431的典型應(yīng)用,其中③、②腳兩端輸出電壓V=2.5(R2十R3)V/R3。如果改變R2的阻值大小,就可以改變輸出基準(zhǔn)電壓大小。圖3是利用它作電壓基準(zhǔn)和驅(qū)動外加場效應(yīng)管K790作調(diào)整管構(gòu)成的輸出電流大(約6A)、電路簡單、安全的穩(wěn)壓電源?! 」ぷ髟砣鐖D3所示,220v電壓經(jīng)變壓器B降壓、D1-D4整流、C1濾波。此外D5、D
- 關(guān)鍵字: TL431 大功率 可調(diào)穩(wěn)壓電源 模擬IC 電源
Linear推出適用于大功率受電設(shè)備的PoE接口控制器
- Linear推出適用于大功率受電設(shè)備(PD)的以太網(wǎng)供電(PoE)接口控制器 LTC4264。LTC4264 允許用戶開發(fā)超出 IEEE 802.3af 規(guī)定的 12.95W 限度的大功率應(yīng)用,同時仍然保持向后兼容性。LTC4264 可以為兩線對系統(tǒng)提供高達(dá) 35W 的功率,以及為 4 線對系統(tǒng)提供高達(dá) 70W 的功率。為了控制系統(tǒng)中的接通浪涌電流,LTC4264 采用了精確的雙重限流電路和片上功率 MOSFET 以及檢測電阻,這樣無需增加外部組件就可組成一個完整的浪涌電流控制電路。LTC4264 與 P
- 關(guān)鍵字: Linear PoE接口 大功率 電源技術(shù) 控制器 模擬技術(shù)
大功率開關(guān)電源中EMI干擾的抑制
- 1 引言 隨著開關(guān)電源應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大,其電磁干擾已成為一個很嚴(yán)重的問題,為了使電源產(chǎn)品滿足EMC的要求,設(shè)計人員就應(yīng)在設(shè)計階段考慮這一問題,同時也要做好在現(xiàn)場處理這一問題的準(zhǔn)備。 2 開關(guān)電源EMI的特點與危害 開關(guān)電源的功率管工作在非線性條件下,采用脈寬調(diào)制(PWM)開關(guān)控制方式 ,加之開關(guān)頻率的不斷提高,使得電磁干擾越來越突出,對電網(wǎng)造成污染?!∫蚋蓴_的存在,輸入電源的電網(wǎng)受到了干擾,影響到其它設(shè)備,使其不能正常的工作,也影響到電網(wǎng)的供電質(zhì)量。所以尋找干擾抑制的方法是很必要的。 3
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基于HPWM技術(shù)的大功率正弦超聲波逆變電源
- 1 引 言 大功率超聲波裝置除用于工業(yè)清洗外,還在醫(yī)療、軍事、石油換能器技術(shù),以及海洋探測與開發(fā)、減噪防振系統(tǒng)、智能機(jī)器人、波動采油等高技術(shù)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景[1]。超聲波裝置由超聲波逆變電源和換能器組成。近年來,由于新型稀土功能材料的開發(fā)和研制成功,使制造大功率超聲波換能器成為可能,但與之配套的高頻正弦逆變電源產(chǎn)品尚為少見。目前,市場上的大功率正弦逆變電源均為采用IGBT制成的中低頻產(chǎn)品[2],而高頻逆變電源大多數(shù)是方波電源或占空比可調(diào)的脈沖逆變電源。因此,高頻大功率正弦逆變電源已成為超聲波應(yīng)用的
- 關(guān)鍵字: HPWM 大功率 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 逆變電源 正弦超聲波 模擬IC 電源
通用光纖隔離驅(qū)動在大功率IGBT中的應(yīng)用
- 引言自MOSFET及IGBT問世以來,電壓控制型電力電子器件,特別是IGBT正經(jīng)歷一個飛速發(fā)展的過程。IGBT單模塊器件的電壓越做越高,電流越做越大。同時,與之配套的驅(qū)動器件也得到了迅速發(fā)展。隨著器件應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣,電源設(shè)備變換功率越來越大,電磁T擾也相應(yīng)增強(qiáng)。為此必須提高控制板的抗干擾能力,提高驅(qū)動耐壓等級。于是,光纖的使用也就成為了必然。 1 ICBT驅(qū)動的幾種方式不同功率等級的IGBT,對驅(qū)動的要求不盡相同,表1給出了目前常用的幾種驅(qū)動方式的比較。 由表l可知,在大功率
- 關(guān)鍵字: IGBT 大功率 光纖 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無線
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