多層芯片 文章 進入多層芯片技術(shù)社區(qū)

多層芯片實現(xiàn)新突破

• 近日，美國麻省理工學院團隊在最新一期《自然》雜志上介紹了一種創(chuàng)新的電子堆疊技術(shù)。該技術(shù)能顯著增加芯片上的晶體管數(shù)量，從而推動人工智能(AI)硬件發(fā)展更加高效。通過這種新方法，團隊成功制造出了多層芯片，其中高質(zhì)量半導體材料層交替生長，直接疊加在一起。隨著計算機芯片表面容納晶體管數(shù)量接近物理極限，業(yè)界正在探索垂直擴展——即通過堆疊晶體管和半導體元件到多個層次上來增加其數(shù)量，而非繼續(xù)縮小單個晶體管尺寸。這一策略被形象地比喻為“從建造平房轉(zhuǎn)向構(gòu)建高樓大廈”，旨在處理更多數(shù)據(jù)，實現(xiàn)比現(xiàn)有電子產(chǎn)品更加復雜的功能。然而
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