固態(tài)配電文章最新資訊

英飛凌重返SiC JFET，實(shí)現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電

Infineon Technologies 開(kāi)發(fā)了用于固態(tài)保護(hù)和配電設(shè)計(jì)的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過(guò)反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)來(lái)控制電導(dǎo)率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場(chǎng)。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss）和 2.3 mΩ （1200 V BDss）的超低 R DS（ON），可顯著降低導(dǎo)通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
關(guān)鍵字：英飛凌 SiC JFET 固態(tài)配電

近日，為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導(dǎo)通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護(hù)與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強(qiáng)大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過(guò)壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠且高效的系統(tǒng)性能，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數(shù)據(jù)中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機(jī)軟啟動(dòng)器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開(kāi)關(guān)等。英飛凌科技零碳工業(yè)功率
關(guān)鍵字：英飛凌 CoolSiC JFET 固態(tài)配電

共2條 1/1 1

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條固態(tài)配電!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)固態(tài)配電的理解，并與今后在此搜索固態(tài)配電的朋友們分享。創(chuàng)建詞條