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AM-OLED顯示器件制程解析

  • OLED顯示技術(shù)被稱為是第三代顯示技術(shù)，正是基于這種說法，中國(guó)大陸的OLED產(chǎn)業(yè)才得以蓬勃發(fā)展，不少公司都在爭(zhēng)先恐后的投入巨資建設(shè)OLED顯示器件生產(chǎn)線，原因很簡(jiǎn)單，那就是我們?cè)贑RT和LCD時(shí)代均落后于人，希望能在OL
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新型DDS器件產(chǎn)生正弦波信號(hào)和各種調(diào)制信號(hào)的設(shè)

  • 1 引言　　為了精確地輸出正弦波、調(diào)幅波、調(diào)頻波、PSK及ASK等信號(hào)，并依據(jù)直接數(shù)字頻率合成(Direct Digital ...
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運(yùn)用PSD系列器件進(jìn)行單片機(jī)外圍電路擴(kuò)展

  • 1　引言典型的微控制器（MCS51系列，MCS98系列，M68000系列，PIC系列等）片的內(nèi)部都集成了少量的RAM、ROM及計(jì)數(shù)器，具有有限的 I／O能力，這在構(gòu)成一般小型應(yīng)用系統(tǒng)時(shí)，或許可以滿足開發(fā)者的需求。但對(duì)于大型的單片機(jī)
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信號(hào)完整性和器件的特性阻抗

  • 在您努力想要穩(wěn)定板上的各種信號(hào)時(shí)，信號(hào)完整性問題會(huì)帶來一些麻煩。IBIS 模型是解決這些問題的一種簡(jiǎn)單方法。您可以利用 IBIS 模型提取出一些重要的變量，用于進(jìn)行信號(hào)完整性計(jì)算和尋找 PCB 設(shè)計(jì)的解決方案。您從 I
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常用過壓、過流、過溫保護(hù)器件之選型技巧

  • 中心議題： 過壓保護(hù)器件的選型要點(diǎn) 過流保護(hù)器件的選型技巧 過溫保護(hù)器件的選型考慮
    隨著電子系統(tǒng)的復(fù)雜性和集成度越來越高，而工作電壓越來越低，電子系統(tǒng)對(duì)可靠性、穩(wěn)定性和安全性的要求也越來越高，電
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PPTC器件保護(hù)汽車電子設(shè)備免受電源極性反接的損害

  • 中心議題： 汽車電子設(shè)備電源極性接反的傳統(tǒng)二極管保護(hù)方式 汽車電子設(shè)備電源極性接反的聚合物正溫度系數(shù)保護(hù)方式解決方案： 大功率MOSFET電路的保護(hù) 電機(jī)保護(hù)
    汽車電子設(shè)備必須具備應(yīng)對(duì)電源極性接反故
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新型DDS器件產(chǎn)生正弦波信號(hào)和各種調(diào)制信號(hào)的設(shè)計(jì)

  • 1 引言
    為了精確地輸出正弦波、調(diào)幅波、調(diào)頻波、PSK及ASK等信號(hào)，并依據(jù)直接數(shù)字頻率合成(Direct Digital FrequencySvnthesizer，簡(jiǎn)稱DDFS)技術(shù)及各種調(diào)制信號(hào)相關(guān)原理，設(shè)計(jì)了一種采用新型DDS器件產(chǎn)生正弦波信
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賽靈思演示ships Zynq-7000器件

  • 　　近日在AETC(歐洲的ARM技術(shù)會(huì)議)，賽靈思公司宣布，該公司現(xiàn)已開始發(fā)售其Zynq-7000 EPP(擴(kuò)展式處理平臺(tái))設(shè)備，并運(yùn)行一個(gè)基于Linux的應(yīng)用程序的設(shè)備，提供了第一個(gè)公開演示。 　　Zynq-7020 EPP最初的樣品目前正在出貨為早期試用計(jì)劃的參與者，跟蹤生產(chǎn)合格的零件使其走向正規(guī)，在2012年下半年開始出貨。 　　“自從我們?cè)?010年4月首次推出的可擴(kuò)展處理平臺(tái)程序以來，我們很高興的看到早期客戶充分利用他們所完成并運(yùn)用他們的系統(tǒng)對(duì)這些設(shè)備”Lawrenc
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多個(gè)AD9779TxDAC器件的同步

  • 簡(jiǎn)介

    　　AD9779 TxDAC的DAC輸出采樣速率最高可達(dá)1 GSPS.在某些應(yīng)用中，例如需要波束導(dǎo)引的應(yīng)用，用戶可以同步多個(gè)AD9779.因此，當(dāng)AD9779以接近最高速度工作時(shí)，TxDAC時(shí)序特性變得至關(guān)重要。

    　　本應(yīng)用筆記不
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2011年未來電子技術(shù)發(fā)展與專業(yè)人才培養(yǎng)高峰論壇

  • 　　作為一年一度大學(xué)生人才培養(yǎng)與創(chuàng)業(yè)指導(dǎo)的重要活動(dòng)，“2011年未來電子技術(shù)發(fā)展與專業(yè)人才培養(yǎng)高峰論壇”秉承前一屆的成功經(jīng)驗(yàn)，于2011年12月9日在北京會(huì)議中心如期舉行。 　　本次論壇是由中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦，由賽迪顧問股份有限公司承辦，日本村田制作所贊助。以“成長(zhǎng)于信息時(shí)代 奮斗于電子夢(mèng)想”為主題，圍繞“電子技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)展望”、“下一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域解析”與“大學(xué)生學(xué)習(xí)與
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功率器件IGBT在不間斷電源（UPS）中的應(yīng)用

  • 1. 引言
    　　
    在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為
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PLD器件的應(yīng)用

  • 10.4 PLD器件的應(yīng)用10.4.1 可編程器件的開發(fā)系統(tǒng)10.4.2 ABEL硬件描述語(yǔ)言一、ABEL源文件的結(jié)構(gòu)二、ABEL的基本語(yǔ)法10.4.3 應(yīng)用舉例10.4 PLD器件的應(yīng)用10.4.1 可編程器件的開發(fā)系統(tǒng)10.4.2 ABEL硬件描述語(yǔ)言一、ABEL源文
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半導(dǎo)體制程簡(jiǎn)史

  • 當(dāng)線寬遠(yuǎn)高于10微米時(shí)，純凈度還不像今天的器件生產(chǎn)中那樣至關(guān)緊要。旦隨著器件變得越來越集成， 超凈間也變得越來越干凈。今天，工廠內(nèi)是加壓過濾空氣，來去除哪怕那些可能留在芯片上并形成缺陷的最小的粒子。半導(dǎo)體制造車間里的工人被要求著超凈服來保護(hù)器件不被人類污染。
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基于IGBT器件的大功率DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)研究

  • 中心議題： 大功率直流電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 大功率直流電源的控制方案 電源的數(shù)據(jù)傳輸拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
    本文基于IGBT器件，利用DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)設(shè)計(jì)大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快
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IGBT及其子器件的四種失效模式比較

  • 摘要：本文通過案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關(guān)鍵字： 模式  比較  失效  器件  及其  IGBT  
共261條 8/18 |‹ « 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 » ›|

器件介紹

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