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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 雙端口

一種基于FPGA的嵌入式塊SRAM的設(shè)計

  • 文章中提出了一種應(yīng)用于FPGA的嵌入式可配置雙端口的塊存儲器。該存儲器包括與其他電路的布線接口、可配置邏輯、可配置譯碼、高速讀寫電路。在編程狀態(tài)下，可對所有存儲單元進行清零，且編程后為兩端口獨立的雙端存儲器。
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雙端口RAM原理介紹及其應(yīng)用

  • 雙端口RAM原理介紹及其應(yīng)用,摘要：IDT7132/IDT7142是一種高速2k×8雙端口靜態(tài)RAM,它擁有兩套完全獨立的數(shù)據(jù)、地址和讀寫控制線。文中分析了雙端口RAM（DPRAM）的設(shè)計方案。并以IDT7132/7142為例介紹了雙端口RAM的時序、競爭和并行通訊接口設(shè)計以及雷達仿真平臺中的應(yīng)用。

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Teranetics采用泰克儀器驗證首個雙端口

  • 業(yè)內(nèi)首創(chuàng) 　　Teranetics是一家位于美國加里福尼亞州圣克拉拉市的混合信號IC公司，為各種先進的通信應(yīng)用開發(fā)芯片產(chǎn)品，在迅速發(fā)展的10GBASE-T標準領(lǐng)域享有很高聲譽。例如，公司率先向市場推出雙端口10GBASE-T PHY
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雙端口RAM的并口設(shè)計應(yīng)用

  • 雙端口RAM的并口設(shè)計應(yīng)用,摘要：IDT7132/IDT7142是一種高速2k×8雙端口靜態(tài)RAM,它擁有兩套完全獨立的數(shù)據(jù)、地址和讀寫控制線。文中分析了雙端口RAM（DPRAM）的設(shè)計方案。并以IDT7132/7142為例介紹了雙端口RAM的時序、競爭和并行通訊接口設(shè)計以
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IDT推出針對工控、醫(yī)療成像和通信應(yīng)用的下一代雙口RAM

  • 　　IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）日前宣布，其不斷擴大的多口RAM系列又添兩個新型雙口RAM器件。從工業(yè)控制到醫(yī)療成像和通信，新的 9Mb 和 4Mb 雙端口器件可實現(xiàn)高達 200MHz 的性能，以滿足苛刻的存儲器緩沖要求。這兩款器件采用 1.8V 內(nèi)核電壓，比現(xiàn)有解決方案的功耗更低。 　　雙端口器件集成了存儲器和控制邏輯，可以通過獨立端口實現(xiàn)對通用中央存儲器的同時存取。該IDT 解決方案有助于客戶通過解決芯片間連接問題，增加帶寬并降低設(shè)計
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賽普拉斯推出地址/數(shù)據(jù)多路復(fù)用雙端口

  • 賽普拉斯推出業(yè)界首批地址/數(shù)據(jù)多路復(fù)用雙端口， 用于在雙處理器移動手機中實現(xiàn)無縫處理器間連接 最新款MoBLTM器件提供了具備多媒體功能的3G/3.5G智能手機中的互連方案所要求的高吞吐量、低功耗和小占板面積 賽普拉斯半導(dǎo)體公司（Cypress Semiconductor Corp.）于近日宣布：其面向下一代智能手機、基于異步雙端口存儲器的處理器間連接解決方案系列再添6款新品。這些新推出的More Battery LifeTM（更長電池壽命，MoBLTM）Dual&
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吞吐量最高達36Gbps的雙端口互連器件

  • 　賽普拉斯半導(dǎo)體公司宣布推出當今世界吞吐量最高的雙端口互連器件系列。這種FullFlexTM新型器件提供了36Gbps的最大吞吐量，與性能最為接近的競爭產(chǎn)品相比高出了50%。它們是業(yè)界首批采用90nm工藝技術(shù)制造的器件，而且是那些需要進行高級處理的應(yīng)用（例如：無線、圖像處理、儀表和SAN/WAN市場）的理想選擇。  　　FullFlex器件既可以用作處理器間通信存儲器，也可以用作單處理器伴隨存儲器。當被用作伴隨存儲器時，該器件可提供36Gbps的專用存儲帶寬，而不受系統(tǒng)讀/寫比率的影響。當被用于
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瑞薩推出新型雙端口高速USB主機控制器

  •        瑞薩發(fā)布了R8A66597雙端口USB主機控制器。這種低功耗器件是為諸如DVD刻錄機或音頻設(shè)備USB（通用串行總線）接口等嵌入式應(yīng)用設(shè)計的。樣品將在2006年2月從日本開始供貨。         R8A66597支持所有USB 2.0規(guī)范定義的數(shù)據(jù)傳輸速度：高速（480Mbps：每秒Mb）、全速（12Mbps）和低速（1.5Mbps）
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雙端口介紹

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