雙極晶體管文章進入雙極晶體管技術社區(qū)

意法半導體(ST)推出新抗輻射基準電壓芯片，在各種工作條件下實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的性能

　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)在最近召開的巴黎核能與太空輻射效應大會(NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects Conference)上宣布，其現(xiàn)有的JANS/JANSR產品新增一系列經過篩選的獲得國防軍備后勤局(DLA, Defense Logistics Agency)認證的JANSR雙極晶體管。新晶體管擁有同類產品中最佳的抗輻射性能，特別適合航天和高可靠性系統(tǒng)，包括衛(wèi)星以及核物理
關鍵字：意法半導體雙極晶體管 JANS

IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列為焊接應用作出優(yōu)化

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導通損耗和開關損耗，旨在為焊接應用做出優(yōu)化。　　新器件采用溝道纖薄晶圓技術把導通損耗和開關損耗降到最低，并與軟恢復低Qrr二極管一起封裝。這些600V IGBT通過5µs短路額定值來提供從8KHz到30KHz的超高速開關，還具備有助于并聯(lián)的低Vce
關鍵字：國際整流器雙極晶體管 IR66xx

ST高性能抗輻射器件通過美國航天項目認證測試

　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST) 在最近召開的巴黎核能與太空輻射效應大會(NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects Conference)上宣布，其現(xiàn)有的JANS/JANSR[1]產品新增一系列經過篩選的獲得國防軍備后勤局(DLA, Defense Logistics Agency)認證的JANSR雙極晶體管。新晶體管擁有同類產品中最佳的抗輻射性能，特別適合航天和高可靠性系統(tǒng)，包括衛(wèi)星以
關鍵字：意法半導體雙極晶體管 JANSR+

電子輻照對功率雙極晶體管損耗分析

功率雙極晶體管由于其低廉的成本，在開關電源中作為功率開關管得到了廣泛的應用。應用電子輻照技術可以減小少子壽命，降低功率雙極晶體管的儲存時間、下降時間，提高開關速度，且一致性、重復性好，成品率高，
關鍵字：電子輻照雙極晶體管損耗分析

下一代低VCEsat雙極晶體管

　　近年來，中功率雙極晶體管在飽和電阻及功率選擇范圍方面的重大改進，極大地拓寬了此類器件的應用領域。恩智浦最新推出的SMD封裝型中功率晶體管BISS 4充分展示了雙極晶體管的技術優(yōu)勢，它在為開關應用帶來大功率低損耗解決方案的同時，也創(chuàng)造了新的應用領域。　　
關鍵字：雙極晶體管晶體管架構 VCesat 201010

輸出峰值功率1kW的晶體管射頻放大器(08-100)

本文介紹功率管發(fā)展近況。著重比較基于Si雙極晶體管和SiMOS場效應管的兩肋固體放大器的性能，提供在L波段和輸出1kW峰值功率下的重要工作參數(shù)。
關鍵字： RF功率放大器雙極晶體管 MOS場效應管 L波段雷達

TPS65552A 驅動便攜式相機閃光燈

在光線較弱的條件下，膠卷或數(shù)碼攝影的高端設備需要氙氣閃光燈管來進行拍攝。氙氣閃光燈管可提供瞬間的高強度光源，在對較遠處、高速移動或弱光條件下的物體進行拍攝時，這是最基本的要求。這種由氙氣放電管產生的光
關鍵字： TPS65552A 雙極晶體管閃光燈德州儀器

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雙極晶體管介紹

　　雙極型晶體管(Bipolar Transistor) 　　由兩個背靠背PN結構成的具有電流放大作用的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點接觸晶體三極管，50年代初發(fā)展成結型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結構：PNP型和NPN型。在這3層半導體中，中間一層稱基區(qū)，外側兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當基區(qū)注入少量電流時，在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會形成較大的電流，這就是晶體管的放 [ 查看詳細 ]

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意法半導體(ST)推出新抗輻射基準電壓芯片，在各種工作條件下實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的性能

IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列 為焊接應用作出優(yōu)化