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半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電張忠謀:半導(dǎo)體行業(yè)不能守成 要做世界級(jí)公司
- 【因?yàn)樵嫉亩x是18~24個(gè)月晶體管密度會(huì)倍增,但我們已經(jīng)用遠(yuǎn)快于摩爾定律的速度來(lái)發(fā)展半導(dǎo)體工藝,會(huì)以快于摩爾定律的時(shí)間來(lái)倍增晶體管密度,并維持到至少2025年以前】 摩爾定律的極限在哪里? 在臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀看來(lái),實(shí)際上摩爾定律在半導(dǎo)體行業(yè)中早已不適用了。 “因?yàn)樵嫉亩x是18~24個(gè)月晶體管密度會(huì)倍增,但我們已經(jīng)用遠(yuǎn)快于摩爾定律的速度來(lái)發(fā)展半導(dǎo)體工藝,會(huì)以快于摩爾定律的時(shí)間來(lái)倍增晶體管密度,并維持到至少2025年以前。”10月23日,在臺(tái)積電30周年
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我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破
- 近日,863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過(guò)了技術(shù)驗(yàn)收。 通常,國(guó)際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱(chēng)之為第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢(shì),特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯,由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對(duì)設(shè)備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場(chǎng)分布、設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 SiC
MEMS是什么?看完這篇就懂了
- MEMS是什么?看完這篇就懂了-MEMS全稱(chēng)Micro Electromechanical System,微機(jī)電系統(tǒng)。是指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí),是一個(gè)獨(dú)立的智能系統(tǒng)。
- 關(guān)鍵字: MEMS 微機(jī)電系統(tǒng) 半導(dǎo)體
謝金河:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是發(fā)展AI最重要心臟引擎
- 10年前,臺(tái)積電市值還不到半導(dǎo)體巨擘英特爾一半,如今臺(tái)積電市值比英特爾多了300億美元,從這個(gè)定位,大家可以領(lǐng)會(huì)到,臺(tái)積電在未來(lái)發(fā)展人工智慧上無(wú)可替代的地位。 把臺(tái)灣市值排行攤開(kāi)來(lái)看,第一大的是臺(tái)積電,市值超過(guò)臺(tái)幣5.7兆元新臺(tái)幣,這已是世界頂級(jí)的實(shí)力。目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最重要指標(biāo)的費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù),臺(tái)積電已是費(fèi)半指數(shù)第一大權(quán)值股,難能可貴的是,10年前,臺(tái)積電市值還不到半導(dǎo)體巨擘英特爾一半,如今臺(tái)積電市值比英特爾多了300億美元,從這個(gè)定位,大家可以領(lǐng)會(huì)到,臺(tái)積電在未來(lái)發(fā)展人工智慧上無(wú)可替代的地位。
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 AI
半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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