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半導(dǎo)體
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臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)居安思危
- 上市柜公司6月?tīng)I(yíng)收最近公布,其中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)亮眼,除了上游晶圓代工的臺(tái)積電、聯(lián)電第二季營(yíng)收全面創(chuàng)新高之外,IC設(shè)計(jì)的聯(lián)發(fā)科、瑞昱第二季營(yíng)收也都沖上歷史新高。根據(jù)趨勢(shì)觀察,在景氣逐漸擴(kuò)張、下游終端產(chǎn)品需求仍持續(xù)成長(zhǎng)支撐下,今年整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)會(huì)有不錯(cuò)的表現(xiàn)。 根據(jù)統(tǒng)計(jì),最近這兩年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值成長(zhǎng)率約莫在5-6%左右,但臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值則有二位數(shù)的成長(zhǎng)率,主要原因來(lái)自于中國(guó)大陸市場(chǎng)與蘋果訂單的斬獲。例如聯(lián)發(fā)科智能型手機(jī)芯片終于成功逆轉(zhuǎn)連續(xù)兩年的營(yíng)收下滑,再次以高性能低成本的優(yōu)勢(shì),奪回大陸
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 物聯(lián)網(wǎng)
半導(dǎo)體明日之“芯”:華為海思攜國(guó)內(nèi)IC廠商崛起

- 中國(guó)大陸半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模近4000億元 全球半導(dǎo)體行業(yè)高景氣周期將持續(xù)。同時(shí)國(guó)內(nèi)政策支持力度不斷加大,由過(guò)去單一政策支持轉(zhuǎn)變?yōu)檎吆唾Y金共同支持,扶持重點(diǎn)將向制造環(huán)節(jié)傾斜,利好全產(chǎn)業(yè)鏈。 封測(cè)環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘較低、人力成本要求高,有利于國(guó)內(nèi)企業(yè)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈切入。在過(guò)去十多年發(fā)展中,封測(cè)環(huán)節(jié)一直占據(jù)國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)主導(dǎo),不過(guò)主要被海外IDM廠商的封測(cè)廠占據(jù)。目前A股封測(cè)上市企業(yè)已完成先進(jìn)封裝技術(shù)布局。IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域,在政策支持和終端市場(chǎng)需求強(qiáng)勁的推動(dòng)下,是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上發(fā)展最快的一環(huán)。晶圓
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 IC設(shè)計(jì)
電子元器件行業(yè):全球半導(dǎo)體銷售額將增6.5%
- 2014年下半年到來(lái),細(xì)觀上半年電子元器件的發(fā)展形勢(shì),我們可以很好的預(yù)測(cè)出下半年的走勢(shì)。 根據(jù)市場(chǎng)預(yù)測(cè),2014年全球半導(dǎo)體銷售額將達(dá)到3250億美元,較上年增長(zhǎng)6.5%;除微處理器市場(chǎng)出現(xiàn)略有下降外其余市場(chǎng)均保持較高單位數(shù)增速。年半導(dǎo)體市場(chǎng)保持持續(xù)增長(zhǎng)。 智能終端及其零組件的創(chuàng)新,過(guò)去體現(xiàn)在手機(jī)和平板等產(chǎn)品持續(xù)發(fā)展方面,現(xiàn)階段已經(jīng)呈現(xiàn)出,向智能家居和汽車電子等方面深入發(fā)展的趨勢(shì)。通過(guò)電視、路由器和家電等產(chǎn)品的創(chuàng)新和升級(jí),逐步開(kāi)拓智能家居廣闊市場(chǎng),例如,Google以32億美元收購(gòu)
- 關(guān)鍵字: 電子元器件 半導(dǎo)體
預(yù)估今年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出385億美元

- 根據(jù)國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)估,2014年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出總金額將達(dá)385億美元,較2013年的335億美元增加15%。由于半導(dǎo)體業(yè)景氣開(kāi)始擺脫經(jīng)濟(jì)衰退陰影而日漸復(fù)蘇,2014年資本支出將上揚(yáng)7.1%,且2018年以前整體支出均可望維持成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。 Gartner研究副總裁BobJohnson表示:「2013年資本支出超越晶圓設(shè)備(WFE)支出,但到了2014年情況則大不相同。資本支出總額將成長(zhǎng)7.1%,但因?yàn)橹圃焐绦陆ňA廠的計(jì)劃縮水,轉(zhuǎn)而將重點(diǎn)放在提升新產(chǎn)能,晶圓設(shè)備支出將
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半導(dǎo)體火熱 晶圓雙雄產(chǎn)能滿載
- 全球半導(dǎo)體景氣持續(xù)火熱,晶圓代工雙雄產(chǎn)能滿載。聯(lián)電(2303)昨天公布6月?tīng)I(yíng)收創(chuàng)新高、達(dá)124.11億元,表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期。今天龍頭臺(tái)積電(2330)也將公布業(yè)績(jī),市場(chǎng)普遍樂(lè)觀以對(duì),外資巴克萊已喊出170元目標(biāo)價(jià)。 聯(lián)電受惠面板驅(qū)動(dòng)、電源管理、WiFi等網(wǎng)通芯片需求強(qiáng)勁,旗下8寸、12寸廠產(chǎn)能滿載,昨天公布的6月?tīng)I(yíng)收首度突破120億元大關(guān),月成長(zhǎng)率4.02%、年成長(zhǎng)15.33%,連2月創(chuàng)新高,第2季營(yíng)收也改寫(xiě)單季新高,達(dá)358.69億元。 聯(lián)電上周股價(jià)攻至16.7元波段新高后,本周回檔
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臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者大動(dòng)作加碼投資 產(chǎn)生虹吸效應(yīng)
- 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)消息,晶圓雙雄臺(tái)積電、聯(lián)電,以及封測(cè)雙雄日月光、矽品近期都大動(dòng)作加碼調(diào)高資本支出,并擴(kuò)編人力,透露景氣強(qiáng)勁復(fù)蘇之余,也代表臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者在全球產(chǎn)業(yè)地位重要性愈來(lái)愈高。 據(jù),在臺(tái)積電大幅提高資本支出、研發(fā)能量且擴(kuò)大產(chǎn)能建置下,已掀起全球半導(dǎo)體業(yè)一股強(qiáng)大的虹吸效應(yīng)。除了既有的無(wú)晶圓廠IC設(shè)計(jì)公司提高對(duì)臺(tái)制造及后段封測(cè)依賴,連英特爾、德儀、瑞薩、富士通、英飛凌等歐美整合元件大廠(IDM)也加速釋單到臺(tái)灣。 半導(dǎo)體設(shè)備廠指出,臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)在火車頭臺(tái)積電的帶動(dòng)之下,已經(jīng)建構(gòu)成為
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5月全球半導(dǎo)體銷售年增8% 下半年明朗
- 全球半導(dǎo)體景氣持續(xù)增溫,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)7日公布,2014年5月份全球半導(dǎo)體銷售額(3個(gè)月移動(dòng)平均值)年增8%至268.6億美元,若和4月相比,亦成長(zhǎng)2%。 SIA總裁兼執(zhí)行長(zhǎng)BrianToohey表示,在美洲地區(qū)的引領(lǐng)下,全球半導(dǎo)體各個(gè)市場(chǎng)均有不錯(cuò)表現(xiàn),連同5月在內(nèi),半導(dǎo)體銷售月增率已逾一年呈現(xiàn)正成長(zhǎng),在可預(yù)見(jiàn)未來(lái)里,有望維持此趨勢(shì)不變。 5月全球各地半導(dǎo)體市場(chǎng)無(wú)論是年增率或月增率均呈現(xiàn)正成長(zhǎng),為2010年8月以來(lái)首見(jiàn),其中美洲年增10.6%、月增1.8%;歐洲年增10.
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 銷售
中微發(fā)布業(yè)界首創(chuàng)介質(zhì)刻蝕及除膠一體機(jī)

- 中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(簡(jiǎn)稱“中微”)今日發(fā)布 Primo iDEA(TM) (“雙反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)刻蝕除膠一體機(jī)”)-- 這是業(yè)界首次將雙反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)等離子體刻蝕和光刻膠除膠反應(yīng)腔整合在同一個(gè)平臺(tái)上。Primo iDEA(TM) 主要針對(duì)2X納米及更先進(jìn)的刻蝕工藝,運(yùn)用中微已被業(yè)界認(rèn)可的 D-RIE 刻蝕技術(shù)和 Primo 平臺(tái),避免了因等離子體直接接觸芯片引發(fā)的器件損傷(PID),提高了工藝的靈活性,減少了生產(chǎn)成本,提高了生產(chǎn)效率并使占用生產(chǎn)空間更優(yōu)化。
- 關(guān)鍵字: 中微 半導(dǎo)體
美國(guó)阿爾法和歐米伽半導(dǎo)體公司推出新型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 美國(guó)阿爾法和歐米伽半導(dǎo)體技術(shù)公司是功率半導(dǎo)體器件和功率集成電路的設(shè)計(jì)商、開(kāi)發(fā)商及全球供應(yīng)商。日前,該公司宣布推出6種新型25伏特和30伏特的功率場(chǎng)效應(yīng)管(AON7760、AON7510、AON7758、AON7764、AON7536、AON7538),對(duì)3×3毫米兩邊扁平無(wú)引腳(DFN)封裝低壓系列產(chǎn)品提供新的補(bǔ)充。這些器件用于個(gè)人計(jì)算、服務(wù)器、遠(yuǎn)距離通信/數(shù)據(jù)通信等領(lǐng)域的各種直流/直流降壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用。 新型器件采用阿爾法和歐米伽公司專利性的功率槽功率場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù),品質(zhì)因數(shù)極低,適用于
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中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)急起直追
- 晶圓代工廠中芯(SMIC)3日宣布,與手機(jī)晶片大廠高通攜手,將以28奈米多晶矽(PolySiON)、以及28奈米高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)制程,為高通量產(chǎn)驍龍(Snapdragon)處理器。 中芯說(shuō)明,將與高通子公司──美國(guó)高通技術(shù)公司(QualcommTechnologies,Inc.)在28奈米制程和晶圓制造服務(wù)方面緊密合作,在中國(guó)制造高通驍龍?zhí)幚砥?。中芯?qiáng)調(diào),高通是全球最大的無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體供應(yīng)商之一,同時(shí)也是全球3G、4G及新一代無(wú)線技術(shù)的領(lǐng)先者,其驍龍?zhí)幚砥魇菍樾袆?dòng)裝置而設(shè)計(jì)。中芯
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臺(tái)灣半導(dǎo)體廠下重本 筑起高墻
- 晶圓雙雄臺(tái)積電、聯(lián)電,以及封測(cè)雙雄日月光、矽品近期都大動(dòng)作加碼調(diào)高資本支出,并擴(kuò)編人力,透露景氣強(qiáng)勁復(fù)蘇之余,也代表臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者在全球產(chǎn)業(yè)地位重要性愈來(lái)愈高,已筑起同業(yè)難以跨越的高墻。 在臺(tái)積電大幅提高資本支出、研發(fā)能量且擴(kuò)大產(chǎn)能建置下,已掀起全球半導(dǎo)體業(yè)一股強(qiáng)大的虹吸效應(yīng)。除了既有的無(wú)晶圓廠IC設(shè)計(jì)公司提高對(duì)臺(tái)制造及后段封測(cè)依賴,連英特爾、德儀、瑞薩、富士通、英飛凌等歐美整合元件大廠(IDM)也加速釋單到臺(tái)灣。 半導(dǎo)體設(shè)備廠指出,臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)在火車頭臺(tái)積電的帶動(dòng)之下,已經(jīng)建構(gòu)成為完整的
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 16納米
天時(shí)地利人和助推今年十月上海IC CHINA 2014
- 2014年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)重大的發(fā)展機(jī)遇期,作為國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)向標(biāo)——第十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)(IC CHINA 2014),2014年10月28—30日,與您相約上海新國(guó)際博覽中心N1館!借助“天時(shí)、地利、人和”,展會(huì)將傳播國(guó)家級(jí)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展最強(qiáng)音! 天時(shí):國(guó)務(wù)院6月24日發(fā)布《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》,明確以財(cái)政扶持和股權(quán)投資基金方式并重支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。1200億元國(guó)家級(jí)芯片產(chǎn)業(yè)扶持基金宣布成立。有了國(guó)家
- 關(guān)鍵字: IC CHINA 半導(dǎo)體 浦東微電子
半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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