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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率因素校正

功率因素校正電路旁路二極管的作用

  • 本文總結(jié)了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開機(jī)瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統(tǒng)重起動(dòng)，導(dǎo)致功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓降低、其進(jìn)入線性區(qū)而發(fā)生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發(fā)生損壞的波形和失效形態(tài)，同時(shí)給出了避免發(fā)生這種損壞的幾個(gè)措施。
  • 關(guān)鍵字： 功率因素校正  旁路二極管  線性區(qū)  欠壓保護(hù)  202103  MOSFET  

單級(jí)BUCK-BOOST變換器實(shí)現(xiàn)APFC的原理及分析

  • 本文分析了用BUCK-BOOST電路和反激變換器隔離實(shí)現(xiàn)單級(jí)功率因數(shù)校正的原理和變換過程，給出了電路的Matlab仿真分析的模型。通過對(duì)變換器工作在DCM模式下的電路仿真，驗(yàn)證了此方法有良好的效果。
  • 關(guān)鍵字： 功率因素校正，單級(jí)，反激變換器   
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功率因素校正介紹

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