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功率??放大器
功率??放大器 文章 進(jìn)入功率??放大器技術(shù)社區(qū)
功率MOSFET應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源注意的問(wèn)題
- 功率MOSFET應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源注意的問(wèn)題,功率MOSFET應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源時(shí)應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題。(1)柵極電路的阻抗非常高,易翼靜電損壞。(2)直流輸入阻抗高,但輸入容量大,高頻時(shí)輸入阻抗低,因此,需要降低驅(qū)動(dòng)電路阻
- 關(guān)鍵字: 功率 開(kāi)關(guān)電源
解讀各種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和IGBT保護(hù)方法
- 解讀各種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和IGBT保護(hù)方法,保證IGBT的可靠工作,驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用,本文討論IGBT驅(qū)動(dòng)電路和IGBT的保護(hù),包括驅(qū)動(dòng)電路EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路、2SD315A集成驅(qū)動(dòng)模塊、IGBT短路失效機(jī)理和IGBT過(guò)流保護(hù)方法。
- 關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng) 功率 電源
快速功率二極管正反向恢復(fù)特性仿真研究
- 快速功率二極管正反向恢復(fù)特性仿真研究,在國(guó)內(nèi)外電力電子領(lǐng)域?qū)β识O管模型研究成果的基礎(chǔ)上,利用計(jì)算機(jī)仿真技術(shù),從數(shù)學(xué)物理模型和電路模型兩方面,對(duì)快速功率二極管的反向恢復(fù)特性進(jìn)行了較深入的研究,獲得了 可正確描述正反向恢復(fù)過(guò)程的功率二極管仿真模型.該模型克服了標(biāo)準(zhǔn)二極管模型完全忽視正向恢復(fù)效應(yīng),對(duì)二極管反向恢復(fù)現(xiàn)象的模擬也會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤振蕩的缺陷,因此具有較好的現(xiàn)實(shí)意義.
- 關(guān)鍵字: 二極管 功率
PWM DC/DC轉(zhuǎn)換器功率開(kāi)關(guān)器件的對(duì)偶
- PWM DC/DC轉(zhuǎn)換器功率開(kāi)關(guān)器件的對(duì)偶,半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件是有極性的,因此在用開(kāi)通與關(guān)斷互為對(duì)偶這一基本原則,以決定開(kāi)關(guān)管或開(kāi)關(guān)二極管的對(duì)偶器件時(shí),要注意它們的極性。當(dāng) 然,二極管的對(duì)偶器件還是二極管,開(kāi)關(guān)
- 關(guān)鍵字: DC/DC 轉(zhuǎn)換器 功率
探討開(kāi)關(guān)電源的合理設(shè)計(jì)技術(shù)
- 探討開(kāi)關(guān)電源的合理設(shè)計(jì)技術(shù),1 開(kāi)關(guān)電源的分類(lèi)開(kāi)關(guān)電源分為,隔離與非隔離兩種形式,在這里主要談一談隔離式開(kāi)關(guān)電源的拓?fù)湫问剑谙挛闹?,非特別說(shuō)明,均指隔離電源。隔離電源按照結(jié)構(gòu)形式不同,可分
- 關(guān)鍵字: 開(kāi)關(guān)電源 功率 DC-DC
智能功率開(kāi)關(guān)電源IC設(shè)計(jì)
- 智能功率開(kāi)關(guān)電源IC設(shè)計(jì),1 引言開(kāi)關(guān)電源是近幾年電源市場(chǎng)的焦點(diǎn)之一,它最大的優(yōu)點(diǎn)是大幅度縮小變壓器的體積和重量,這樣就縮小了整個(gè)系統(tǒng)的體積和重量。一般說(shuō)來(lái),開(kāi)關(guān)電源的重量是線性電源的1/4,相應(yīng)
- 關(guān)鍵字: 功率 開(kāi)關(guān)電源 計(jì)算機(jī)
功率??放大器介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條功率??放大器!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)功率??放大器的理解,并與今后在此搜索功率??放大器的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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