制造制程 文章 最新資訊
新一代45納米制程量產(chǎn)技術(shù)在京都正式發(fā)布
- Crolles2聯(lián)盟日前在京都舉辦的VLSI會議(VLSI Symposium)中發(fā)布的文件中,描述了針對新一代低成本、低功耗、高密度消費(fèi)性電路的超小型制程選項(xiàng)-使用傳統(tǒng)大量CMOS制程技術(shù)與45納米設(shè)計(jì)規(guī)則,在量產(chǎn)條件下建構(gòu)面積小于0.25平方微米的6晶體管結(jié)構(gòu)SRAM單元。 Crolles2是由飛思卡爾半導(dǎo)體、飛利浦、意法半導(dǎo)體共同組成的聯(lián)盟。其位于法國Crolles的300毫米試產(chǎn)線曾制造出1.5Mbit陣列。此次合作發(fā)布的文件再次展示
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英飛凌和南亞科技聯(lián)合宣布90納米制程技術(shù)研發(fā)成功并開始批量生產(chǎn)
- 英飛凌科技公司和南亞科技公司近日聯(lián)合宣布,由英飛凌和南亞科技在英飛凌德國德累斯頓研發(fā)中心聯(lián)合開發(fā)的90納米DRAM技術(shù)成功通過認(rèn)證。兩家公司聯(lián)合開發(fā)的90納米內(nèi)存產(chǎn)品獲得了主要客戶的認(rèn)可,并通過了英特爾的驗(yàn)證。在英飛凌公司德累斯頓300mm晶圓生產(chǎn)線上,90納米DRAM產(chǎn)品已經(jīng)開始批量生產(chǎn)。作為全球第二個引進(jìn)90納米技術(shù)的DRAM制造商,英飛凌在5月底之前已經(jīng)成功將其DRAM全球產(chǎn)量的5%從110納米工藝轉(zhuǎn)換成90納米工藝。英飛凌和南亞科技的合資公司臺灣華亞半導(dǎo)體公司現(xiàn)在已經(jīng)開始向90納米技術(shù)轉(zhuǎn)型。提前采
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臺積電要求開放0.18μm制程 將赴中國投資
- 臺積電再度呼吁政府盡快開放0.18微米制作工藝赴中國投資。臺積電稱,因當(dāng)?shù)乜蛻舢a(chǎn)品已進(jìn)入0.18微米,但倘若沒有提供服務(wù),臺積電在中國市場將會居于劣勢。 這是臺積電首次明確表示中國客戶已具備在0.18微米的制作工藝。臺積電總經(jīng)理蔡力行表示,0.18微米制作工藝的松江廠戰(zhàn)略位置絕對重要,因?yàn)榭蛻粝Ma(chǎn)品能在中國工廠生產(chǎn),而不是要靠海外的產(chǎn)能支援。而且0.18微米制程已是成熟的技術(shù),實(shí)在不需要再受到限制。 蔡力行還表示,臺積
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張忠謀:先進(jìn)制程無法西進(jìn) 影響競爭力
- 臺灣集成電路公司 (簡稱臺積電) 董事長張忠謀表示,大陸半導(dǎo)體市場對0.18微米制程需求已經(jīng)開始,臺積電至今仍無法前往大陸進(jìn)行相關(guān)布局,競爭力已受影響。 張忠謀表示,目前已有許多旗下客戶及潛在客戶反映,臺積電在大陸無法進(jìn)行生產(chǎn),只能在其它臺積電的競爭廠商下單生產(chǎn),因此臺積電的競爭力已受影響。 依臺灣“政府”規(guī)范,目前半導(dǎo)體晶圓廠赴國內(nèi)投資,僅開放擁有12吋晶圓廠業(yè)者,且12吋晶圓廠必須達(dá)經(jīng)濟(jì)規(guī)模,開放的規(guī)格以8吋晶圓
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無線通信IC制程技術(shù)發(fā)展探微
- 無線通信IC制程技術(shù)發(fā)展探微 臺灣省工研院經(jīng)貿(mào)中心產(chǎn)業(yè)分析師 王英格 圖1 2000-2005年全球半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)品市場占有率變化 圖2 無線通信IC制程技術(shù)發(fā)展歷程 圖3 預(yù)估2004年移動電話收發(fā)器市占率 圖4 預(yù)估2004年移動電話功率放大器市占率(依制程區(qū)分)前言 半導(dǎo)體的應(yīng)用可分為計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)類電子、工業(yè)、汽車、以及軍事等市場,根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會與研究機(jī)構(gòu)IC Insight等單位的統(tǒng)計(jì),自2001年以后,計(jì)算機(jī)在半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)品市場的占有率開始滑落至50%以下,反觀通信與消費(fèi)類電子產(chǎn)品的占
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制造制程介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對制造制程的理解,并與今后在此搜索制造制程的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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