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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 內(nèi)存封測(cè)

內(nèi)存封測(cè)量增價(jià)跌致廠家營(yíng)收小幅增長(zhǎng)

  • 　　受內(nèi)存廠先進(jìn)制程持續(xù)開(kāi)出，內(nèi)存封測(cè)及材料廠第4季接單量明顯成長(zhǎng)，不過(guò)，由于DRAM(Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)價(jià)格走低影響，封測(cè)價(jià)格也面臨降價(jià)壓力，因此第4季呈現(xiàn)量增價(jià)跌格局，預(yù)期各家營(yíng)收維持小幅成長(zhǎng)3~10%不等，是半導(dǎo)體業(yè)中少數(shù)還能維持成長(zhǎng)的族群。 　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  內(nèi)存封測(cè)  
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內(nèi)存封測(cè)介紹

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