首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 關(guān)斷損耗

550V無電壓折回逆導(dǎo)型橫向絕緣柵雙極晶體管器件設(shè)計(jì)

  • 逆導(dǎo)型橫向絕緣柵雙極晶體管（RC-LIGBT）由于高電流密度、小封裝成本等優(yōu)點(diǎn)，成為了功率器件領(lǐng)域內(nèi)主流器件之一，然而其會受到電壓折回現(xiàn)象的不利影響。本文提出了一種基于絕緣體上硅技術(shù)的RCLIGBT器件，將續(xù)流二極管集成在位于埋氧層下的襯底，利用埋氧層的隔離特性實(shí)現(xiàn)了IGBT與續(xù)流二極管之間的電學(xué)隔離，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了完全消除電壓折回現(xiàn)象。
  • 關(guān)鍵字： 逆導(dǎo)型橫向絕緣柵雙極晶體管  電壓折回現(xiàn)象  絕緣體上硅  導(dǎo)通壓降  關(guān)斷損耗  202009  

功率MOSFET關(guān)斷損耗計(jì)算攻略

  • 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計(jì)算方式，供大家參考。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  關(guān)斷損耗  
共2條 1/1 1

關(guān)斷損耗介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條關(guān)斷損耗!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對關(guān)斷損耗的理解，并與今后在此搜索關(guān)斷損耗的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473