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全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 文章 進(jìn)入全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)社區(qū)

北大 "鉍基芯片" 橫空出世:硅時(shí)代,再見(jiàn)!

  • 北京大學(xué)正大步邁入后硅時(shí)代與埃米級(jí)(?ngstr?m)半導(dǎo)體領(lǐng)域。該校研究團(tuán)隊(duì)近日在《自然》雜志發(fā)表論文,宣布成功研制全球首顆二維低功耗全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GAAFET),這項(xiàng)由彭海林教授、邱晨光教授領(lǐng)銜的跨學(xué)科成果,被團(tuán)隊(duì)成員稱(chēng)為 "里程碑式突破"。 彭海琳?qǐng)F(tuán)隊(duì)合影(右一為彭海琳)技術(shù)核心:從 "硅基捷徑" 到 "二維換道"北大團(tuán)隊(duì)制備出論文所述的 "晶圓級(jí)多層堆疊單晶二維全環(huán)繞柵結(jié)構(gòu)"。何為二維環(huán)柵晶體管?顧名
  • 關(guān)鍵字: 北京大學(xué)  GAAFET  全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管  芯片設(shè)計(jì)  
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全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹

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