EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 文章 進(jìn)入全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)社區(qū)
北大 "鉍基芯片" 橫空出世：硅時(shí)代，再見(jiàn)！
- 北京大學(xué)正大步邁入后硅時(shí)代與埃米級(jí)（?ngstr?m）半導(dǎo)體領(lǐng)域。該校研究團(tuán)隊(duì)近日在《自然》雜志發(fā)表論文，宣布成功研制全球首顆二維低功耗全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAAFET），這項(xiàng)由彭海林教授、邱晨光教授領(lǐng)銜的跨學(xué)科成果，被團(tuán)隊(duì)成員稱(chēng)為 "里程碑式突破"。 彭海琳?qǐng)F(tuán)隊(duì)合影（右一為彭海琳）技術(shù)核心：從 "硅基捷徑" 到 "二維換道"北大團(tuán)隊(duì)制備出論文所述的 "晶圓級(jí)多層堆疊單晶二維全環(huán)繞柵結(jié)構(gòu)"。何為二維環(huán)柵晶體管？顧名
- 關(guān)鍵字： 北京大學(xué) GAAFET 全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 芯片設(shè)計(jì)
| 共1條 1/1 1 |
全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的理解，并與今后在此搜索全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的理解，并與今后在此搜索全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473