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臺積電RRAM技術(shù)引入英飛凌汽車MCU

  • 11月25日，英飛凌和臺積電宣布，兩家公司正準(zhǔn)備將臺積電的電阻式RAM（RRAM）非易失性存儲器（NVM）技術(shù)引入英飛凌的下一代AURIX?微控制器（MCU），并將在臺積電的28納米節(jié)點上制造。自第一個發(fā)動機管理系統(tǒng)問世以來，嵌入式閃存微控制器一直是汽車電子控制單元(ECU)的主要構(gòu)建塊。目前，市場上大多數(shù)MCU系列都基于嵌入式閃存技術(shù)（eFlash）技術(shù)。而RRAM是嵌入式存儲器的下一步，可以進一步擴展到28納米及以上。英飛凌AURIX TC4x MCU系列將性能擴展與虛擬化、安全和網(wǎng)絡(luò)功能的最新趨勢相
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