- 介紹了一種新型的相變存儲器驅動電路的基本原理,設計了一種依靠電流驅動的驅動電路,整體電路由帶隙基準電壓源電路、偏置電流產生電路、電流鏡電路及控制電路組成。該結構用于16 Kb以及1 Mb容量的相變存儲器芯片的設計,并采用中芯國際集成電路制造(上海) 有限公司的0118μm標準CMOS 工藝實現。
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相變存儲器 PCM 電流驅動 基準電壓 偏置電流 電流鏡 互補金屬氧化物半導體
- 您會為了匹配您運算放大器電路的輸入 DC 電阻而添加一個電阻器嗎?請看下面圖 1 所示電路。我們中的許多人會教條地認為添加 Rb 是一種“好方法”,并讓其值等于 R1 和 R2 的并聯組合。我們現在就來研究使用這種電阻器的原因,并思考它的使用是否必要。
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偏置電流 運算放大器 電阻 熱噪聲 高阻抗節(jié)點
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偏置電流
- 您會為了匹配您運算放大器電路的輸入 DC 電阻而添加一個電阻器嗎?請看下面圖 1 所示電路。我們中的許多人會教條地認為添加 Rb 是一種“好方法”,并讓其值等于 R1 和 R2 的并聯組合。我們現在就來研究使用這種電阻器的原因,并思考它的使用是否必要?! ?nbsp;
添加 Rb 的目的是降低輸入偏置電流引起的電壓偏移。如果兩個輸入都有相同的輸入偏置電流
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偏置電流 運算放大器
- 之前我們看了CMOS和JFET放大器輸入偏置電流的來源,發(fā)現其主要由一個或幾個反向偏置的PN節(jié)的漏電流組成。文章結尾引出了一個警示,這些漏電流隨著溫度升高而顯著的增大。 PN節(jié)的反向偏置漏電流有很強的正溫度系數,每升高10℃,漏電流大約增大一倍。在figure1歸一化曲線中可以看出,這種指數增長使得漏電流快速增加。到125℃時,漏電流相對室溫下增長了約1000倍?! 〔煌亩O管特性使得漏電流增加的速率不一樣,兩倍的漏電流可能在8℃到11℃左右的范圍內發(fā)生。這種高溫下的漏電流增長在一些電路中將會是重
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偏置電流
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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射頻 低噪聲放大器 LNA cascode結構 偏置電流
- 單片式運算放大器可在 ±4.75V 至 ±70V 范圍內工作,并具有軌至軌輸出擺幅和低輸入偏置電流,單片式運算放大器自上個世紀 60 年代起就大量面市了,不過這種廣泛使用的器件在性能方面仍在穩(wěn)步改進。LTC6090 高精度單片式運算放大器向前邁進了一大步,其將電源電壓擴展
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偏置電流 運算放大器 封裝
- 為了檢測潛在的電源缺陷,必須進行動態(tài)和靜態(tài)測試。這里的簡單電流阱可測試低到中功率電源和恒壓源。在該...
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電源測試 電源電壓 偏置電流
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偏置電流 手機 功率放大器 RF
- 仿真電流鏡的輸出偏置電流是很簡單的。您只需加上輸入電流和測量輸出電流,再計算它們的差就行了。然而,輸出偏置電流不等于輸入偏置電流,尤其當電路不是 1:1 電流鏡時。高度精確地仿真輸入偏置電流是比較復雜的。假設您正在處理 1:1 電流鏡,并且想知道需要什么樣的輸入電流來得到 10mA 輸出電流。在理想情況下,假如輸入偏置電流為零,則輸入電流是 10mA。然而,由于雙極晶體管的β值有限、輸出阻抗有限以及失配等原因,輸入偏置電流不等于零。圖 1 所示設計,仿真精度高,仿真時間短。圖 1,本電路可用來仿真電流鏡輸
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仿真電流鏡 偏置電流
偏置電流介紹
運放是集成在一個芯片上的晶體管放大器,偏置電流biascurrent就是第一級放大器輸入晶體管的基極直流電流.這個電流保證放大器工作在線性范圍,為放大器提供直流工作點.因為運算放大器要求盡可能寬的共模輸入電壓范圍,而且都是直接耦合的,不可能在芯片上集成提供偏置電流的電流源.所以都設計成基極開路的,由外電路提供電流.因為第一級偏置電流的數值都很小,uA到nA數量級,所以一般運算電路的輸入電阻和反饋電 [
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